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FSYA150D1 PDF预览

FSYA150D1

更新时间： 2024-02-28 01:55:46
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 61K
描述
Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs

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FSYA150D1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.3
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：39 A
最大漏源导通电阻：0.055 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CBCC-N3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：117 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FSYA150D1 数据手册

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FSYA150D, FSYA150R  
Screening Information  
Screening is performed in accordance with the latest revision in effect of MIL-S-19500, (Screening Information Table).  
o
Delta Tests and Limits (JANTXV Equivalent, JANS Equivalent) T = 25 C, Unless Otherwise Specified  
C
PARAMETER  
Gate to Source Leakage Current  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Drain to Source On Resistance  
Gate Threshold Voltage  
NOTES:  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
= ±20V  
GS  
MAX  
UNITS  
nA  
I
V
±20 (Note 7)  
±25 (Note 7)  
±20% (Note 8)  
±20% (Note 8)  
GSS  
I
V
= 80% Rated Value  
o
µA  
DSS  
DS  
r
T
= 25 C at Rated I  
D
Ω
DS(ON)  
C
V
I
= 1.0mA  
V
GS(TH)  
D
7. Or 100% of Initial Reading (whichever is greater).  
8. Of Initial Reading.  
Screening Information  
TEST  
JANTXV EQUIVALENT  
JANS EQUIVALENT  
= 30V, t = 250µs  
Gate Stress  
V
= 30V, t = 250µs  
V
GS  
GS  
Pind  
Optional  
Required  
Pre Burn-In Tests (Note 9)  
MIL-S-19500 Group A,  
Subgroup 2 (All Static Tests at 25 C)  
MIL-S-19500 Group A,  
Subgroup 2 (All Static Tests at 25 C)  
o
o
Steady State Gate  
Bias (Gate Stress)  
MIL-STD-750, Method 1042, Condition B  
MIL-STD-750, Method 1042, Condition B  
V
= 80% of Rated Value,  
V
= 80% of Rated Value,  
GS  
GS  
o
o
T = 150 C, Time = 48 hours  
T = 150 C, Time = 48 hours  
A
A
Interim Electrical Tests (Note 9)  
All Delta Parameters Listed in the Delta Tests  
and Limits Table  
All Delta Parameters Listed in the Delta Tests  
and Limits Table  
Steady State Reverse  
Bias (Drain Stress)  
MIL-STD-750, Method 1042, Condition A  
MIL-STD-750, Method 1042, Condition A  
V
= 80% of Rated Value,  
V
= 80% of Rated Value,  
DS  
DS  
o
o
T = 150 C, Time = 160 hours  
T = 150 C, Time = 240 hours  
A
A
PDA  
10%  
5%  
Final Electrical Tests (Note 9)  
MIL-S-19500, Group A, Subgroup 2  
MIL-S-19500, Group A,  
Subgroups 2 and 3  
NOTE:  
9. Test limits are identical pre and post burn-in.  
Additional Screening Tests  
PARAMETER  
Safe Operating Area  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
= 80V,t = 10ms  
MAX  
5.5  
UNITS  
A
SOA  
V
DS  
Unclamped Inductive Switching  
Thermal Response  
I
V
= 15V, L = 0.1mH  
117  
70  
A
AS  
GS(PEAK)  
∆V  
t
t
= 10ms; V = 25V; I = 4A  
mV  
mV  
SD  
SD  
H
H
H
Thermal Impedance  
∆V  
= 500ms; V = 20V; I = 4A  
159  
H
H
H
HEAT SINK REQUIRED  
4-6  
1...345678

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