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FSYA150D1

更新时间： 2024-02-01 00:17:15
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 61K
描述
Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs

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FSYA150D1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.3
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：39 A
最大漏源导通电阻：0.055 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CBCC-N3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：117 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FSYA150D1 数据手册

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FSYA150D, FSYA150R  
Source to Drain Diode Specifications  
PARAMETER  
Forward Voltage  
Reverse Recovery Time  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
0.6  
-
TYP  
MAX  
1.8  
UNITS  
V
V
I
I
= 39A  
-
-
SD  
SD  
t
= 39A, dI /dt = 100A/µs  
530  
ns  
rr  
SD  
SD  
o
Electrical Specifications up to 100K RAD T = 25 C, Unless Otherwise Specified  
C
PARAMETER  
Drain to Source Breakdown Volts  
Gate to Source Threshold Volts  
Gate to Body Leakage  
SYMBOL  
BV  
TEST CONDITIONS  
= 0, I = 1mA  
MIN  
MAX  
-
UNITS  
(Note 3)  
V
100  
V
V
DSS  
GS  
D
(Note 3)  
V
V
= V , I = 1mA  
DS  
1.5  
4.0  
GS(TH)  
GS  
D
(Notes 2, 3)  
(Note 3)  
I
V
= ±20V, V  
= 0V  
= 80V  
-
-
-
-
100  
25  
nA  
µA  
V
GSS  
GS DS  
Zero Gate Leakage  
I
V
= 0, V  
DSS  
GS  
DS  
= 12V, I = 39A  
Drain to Source On-State Volts  
Drain to Source On Resistance  
NOTES:  
(Notes 1, 3)  
(Notes 1, 3)  
V
V
2.34  
0.055  
DS(ON)  
GS  
D
r
V
= 12V, I = 25A  
Ω
DS(ON)12  
GS  
D
1. Pulse test, 300µs Max.  
2. Absolute value.  
3. Insitu Gamma bias must be sampled for both V  
GS  
= 12V, V  
DS  
= 0V and V  
GS  
= 0V, V  
= 80% BV .  
DSS  
DS  
Single Event Effects (SEB, SEGR) Note 4  
ENVIRONMENT (NOTE 5)  
APPLIED  
(NOTE 6)  
ION  
SPECIES  
TYPICAL LET  
(MeV/mg/cm)  
TYPICAL  
RANGE (µ)  
V
BIAS  
MAXIMUM  
GS  
(V)  
TEST  
SYMBOL  
SEESOA  
V
BIAS (V)  
DS  
Single Event Effects Safe Operating Area  
Ni  
Br  
Br  
Br  
26  
37  
37  
37  
43  
36  
36  
36  
-20  
-10  
-15  
-20  
100  
100  
80  
50  
NOTES:  
4. Testing conducted at Brookhaven National Labs; sponsored by Naval Surface Warfare Center (NSWC), Crane, IN.  
2
o
5. Fluence = 1E5 ions/cm (typical), T = 25 C.  
6. Does not exhibit Single Event Burnout (SEB) or Single Event Gate Rupture (SEGR).  
Typical Performance Curves Unless Otherwise Specified  
2
2
1E-3  
1E-4  
LET = 26MeV/mg/cm , RANGE = 43µ  
LET = 37MeV/mg/cm , RANGE = 36µ  
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
2
FLUENCE = 1E5 IONS/cm (TYPICAL)  
ILM = 10A  
30A  
1E-5  
1E-6  
1E-7  
100A  
300A  
o
TEMP = 25 C  
10  
30  
100  
DRAIN SUPPLY (V)  
300  
1000  
0
-5  
-10  
V
-15  
-20  
-25  
(V)  
GS  
FIGURE 1. SINGLE EVENT EFFECTS SAFE OPERATING AREA  
FIGURE 2. DRAIN INDUCTANCE REQUIRED TO LIMIT  
GAMMA DOT CURRENT TO I  
AS  
4-3  
12345678

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