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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> FST8230SM4C
FST8230SM4C PDF预览

FST8230SM4C

更新时间： 2024-09-17 13:07:55
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
2页 118K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 40A, 30V V(RRM), Silicon, SM4, 3 PIN

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FST8230SM4C 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：R-PSSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.49
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSSO-G3
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：800 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：40 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：30 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

FST8230SM4C 数据手册

 浏览型号FST8230SM4C的Datasheet PDF文件第2页 
Schottky MiniMod  
FST8230SM  
A1  
K
A2  
Dim. Inches  
Millimeter  
N
2-PLCS.  
Minimum Maximum Minimum Maximum Notes  
1
2
3
F
E
1
2
3
A1  
37.85  
26.12  
38.35  
26.42  
1.490  
1.510  
1.040  
L
1 2 3  
Common Cathode  
A2 1.020  
M
.695  
.110  
.027  
.715  
.120  
.037  
.110  
.370  
.025  
.715  
17.65  
2.79  
0.69  
2.54  
8.89  
0.38  
17.65  
18.16  
3.04  
0.94  
A3  
B
3 PINS eq sp at .200  
SM3 & SM4  
C
G
D .100  
2.79  
9.40  
0.64  
A3  
J
E
F
.350  
.015  
1 2 3  
A=Common Anode  
C
H
1
2
3
G .695  
18.16  
2.49  
SM1 & SM2  
H
.088  
J .240  
.098  
2.24  
.260  
1.195  
.250  
.085  
.161  
6.10  
29.97  
5.84  
1.65  
6.60  
30.35  
6.35  
2.16  
B
D
B
D
K
L
1.180  
.230  
1 2 3  
D=Doubler  
SM5 & SM6  
M .065  
.151  
TYP. PIN CONFIGURATION TYP. PIN CONFIGURATION  
FOR SM1, SM3, & SM5  
FOR SM2, SM4, & SM6  
Dia.  
3.84  
4.09  
N
Note: Baseplate Common with Pin 2  
Schottky Barrier Rectifier  
Guard Ring Protection  
2X40 Amperes avg.  
Working  
Peak Reverse  
Voltage  
Repetitive  
Peak Reverse  
Voltage  
Microsemi  
Catalog Number  
150°C Junction Temperature  
Reverse Energy Tested  
Low Forward Voltage  
ROHS Compliant  
1 2  
FST8230SM  
30V  
30V  
1 SPECIFY (1-6) TO IDENTIFY PACKAGE DESIRED  
NOTE:  
2 SPECIFY C-COMMON CATHODE, A-COMMON ANODE, D-DOUBLER  
Electrical Characteristics  
R
R
I
I
I
T
T
F(AV) 80 Amps  
F(AV) 40 Amps  
FSM 800 Amps  
R(OV) 2 Amps  
FM 0.42 Volts  
FM 0.47 Volts  
RM 300 mA  
C = 115°C, Square wave, 0JC = 0.5°C/W  
Average forward current per pkg  
Average forward current per leg  
Maximum surge current per leg  
Max repetitive peak reverse current per leg  
Max peak forward voltage per leg  
Max peak forward voltage per leg  
Max peak reverse current per leg  
Max peak reverse current per leg  
Typical reverse current per leg  
C = 115°C, Square wave, 0JC = 1.0°C/W  
T
8.3 ms, half sine, J = 150°C  
f = 1 KHZ, 25°C, 1µsec square wave  
I
V
V
I
I
I
V
V
T
FM = 40A: J = 150°C*  
T
FM = 40A: J = 25°C*  
T
RRM, J = 125°C*  
I
T
RRM, J = 25°C  
RM 5 mA  
I
C
V
V
T
RRM, J = 25°C  
RM 3 mA  
J 2400 pF  
T
R = 5.0V, C = 25°C  
Typical junction capacitance per leg  
*Pulse test: Pulse width 300µsec, Duty cycle 2%  
Thermal and Mechanical Characteristics  
T
T
Storage temp range  
STG  
J
0JC  
0JC  
0CS  
-55°C to 175°C  
-55°C to 150°C  
1.0°C/W Junction to case  
0.5°C/W Junction to case  
0.3°C/W Case to sink  
0.3 ounce (8.4 grams) typical  
Operating junction temp range  
Max thermal resistance per leg  
Max thermal resistance per pkg  
Typical thermal resistance (greased)  
Weight  
R
R
R
www.microsemi.com  
January, 2010 - Rev. 5  
12

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与FST8230SM4C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FST8230SM4D MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 40A, 30V V(RRM), Silicon, SM4, 3 PIN
FST8230SM5 MICROSEMI

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FST8230SM6 MICROSEMI

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