5秒后页面跳转
| 品牌 | Logo | 应用领域 |
| 三菱 - MITSUBISHI |  |
开关 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 4页 | 43K |  |
| 描述 | ||
| HIGH-SPEED SWITCHING USE | ||
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.34 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 70 A | 最大漏极电流 (ID)： | 70 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.017 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 280 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FS70UMJ-2-A8 | RENESAS |
获取价格 |
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET |
|
| FS70VS03 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 70A I(D) | TO-263AB |
|
| FS70VS-03 | POWEREX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FS70VS-03 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FS70VS06 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 70A I(D) | TO-263AB |
|
| FS70VS-06 | POWEREX |
获取价格 |
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
|
| FS70VS-06 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH-SPEED SWITCHING USE |
|
| FS70VS-06 | RENESAS |
获取价格 |
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET |
|
| FS70VS-06-T1 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FS70VS-06-T2 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
