FS18SM-9

更新时间： 2024-01-24 10:21:19

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三菱 - MITSUBISHI		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
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描述
HIGH-SPEED SWITCHING USE

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FS18SM-9 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.38
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	450 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A
最大漏极电流 (ID)：	18 A	最大漏源导通电阻：	0.33 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	54 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FS18SM-9 数据手册

MITSUBISHI Nch POWER MOSFET

FS18SM-9

HIGH-SPEED SWITCHING USE

FS18SM-9

OUTLINE DRAWING

Dimensions in mm

4.5

15.9MAX.

1.5

φ 3.2

4.4

1.0

5.45

0.6

2.8

w r

q GATE

w DRAIN

e SOURCE

r DRAIN

¡VDSS ................................................................................ 450V

¡rDS (ON) (MAX) .............................................................. 0.33Ω

¡ID ..........................................................................................18A

TO-3P

APPLICATION

SMPS, DC-DC Converter, battery charger, power

supply of printer, copier, HDD, FDD, TV, VCR, per-

sonal computer etc.

MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)

Symbol

VDSS

VGSS

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Conditions

Ratings

Unit

VGS = 0V

VDS = 0V

450

±30

IDM

Drain current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

Weight

250

°C

Tch

–55 ~ +150

4.8

Tstg

—

Typical value

Feb.1999

12 3 4

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