FS18SM-10

更新时间： 2024-02-04 21:05:06

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描述
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE

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FS18SM-10 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.37
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A	最大漏极电流 (ID)：	18 A
最大漏源导通电阻：	0.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	54 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FS18SM-10 数据手册

MITSUBISHI Nch POWER MOSFET

FS18SM-10

HIGH-SPEED SWITCHING USE

FS18SM-10

OUTLINE DRAWING

Dimensions in mm

4.5

15.9MAX.

1.5

φ 3.2

4.4

1.0

5.45

0.6

2.8

w r

q GATE

w DRAIN

e SOURCE

r DRAIN

¡VDSS ................................................................................500V

¡rDS (ON) (MAX) .............................................................. 0.40Ω

¡ID ......................................................................................... 18A

TO-3P

APPLICATION

SMPS, DC-DC Converter, battery charger, power

supply of printer, copier, HDD, FDD, TV, VCR, per-

sonal computer etc.

MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)

Symbol

VDSS

VGSS

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Conditions

Ratings

Unit

VGS = 0V

VDS = 0V

500

±30

IDM

Drain current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

Weight

250

°C

Tch

–55 ~ +150

4.8

Tstg

—

Typical value

Feb.1999

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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