FS16VS-5

更新时间： 2024-02-14 09:39:13

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三菱 - MITSUBISHI		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲
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4页	45K
描述
HIGH-SPEED SWITCHING USE

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FS16VS-5 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220S
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.38	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	250 V	最大漏极电流 (ID)：	16 A
最大漏源导通电阻：	0.25 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FS16VS-5 数据手册

MITSUBISHI Nch POWER MOSFET

FS16VS-5

HIGH-SPEED SWITCHING USE

FS16VS-5

OUTLINE DRAWING

Dimensions in mm

10.5MAX.

4.5

1.3

+0.3

–0

0.5

0.8

w e

w r

q GATE

w DRAIN

e SOURCE

r DRAIN

¡VDSS ................................................................................250V

¡rDS (ON) (MAX) .............................................................. 0.25Ω

¡ID ......................................................................................... 16A

TO-220S

APPLICATION

SMPS, DC-DC Converter, battery charger, power

supply of printer, copier, HDD, FDD, TV, VCR, per-

sonal computer etc.

MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)

Symbol

VDSS

VGSS

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Conditions

Ratings

Unit

VGS = 0V

VDS = 0V

250

±30

IDM

Drain current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

Weight

125

°C

Tch

–55 ~ +150

1.2

Tstg

—

Typical value

Feb.1999

12 3 4

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与FS16VS-5相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FS16VS-5-T1	MITSUBISHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 250V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FS16VS-5-T2	MITSUBISHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 250V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FS16VS6	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 300V V(BR)DSS \| 16A I(D) \| TO-263AB
FS16VS-6	MITSUBISHI	获取价格	HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS16VS-6	POWEREX	获取价格	Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS16VS-6-T2	MITSUBISHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 300V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FS16VS-7A-T11	RENESAS	获取价格	16A, 350V, 0.35ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3
FS16VS9	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 16A I(D) \| TO-263AB
FS16VS-9	MITSUBISHI	获取价格	HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS16VS-9	POWEREX	获取价格	Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE