FS18KM-10A

更新时间： 2024-09-25 03:11:59

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三菱 - MITSUBISHI		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
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描述
HIGH-SPEED SWITCHING USE

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FS18KM-10A 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220FN
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.37
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A	最大漏极电流 (ID)：	18 A
最大漏源导通电阻：	0.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	54 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FS18KM-10A 数据手册

MITSUBISHI Nch POWER MOSFET

FS18KM-10A

HIGH-SPEED SWITCHING USE

FS18KM-10A

OUTLINE DRAWING

Dimensions in mm

10 0.3

2.8 0.2

φ 3.2 0.2

1.1 0.2

0.75 0.15

2.54 0.25

0.75 0.15

2.54 0.25

➀ ➁ ➂

➁

➀

➁

➂

GATE

DRAIN

SOURCE

➀

ꢀ 10V DRIVE

ꢀ VDSS ............................................................................... 500V

ꢀ rDS (ON) (MAX) ..............................................................0.40Ω

ꢀ ID ......................................................................................... 18A

➂

TO-220FN

APPLICATION

SMPS, AC-adapter, Power supply of Printer, Copier, TV, VCR. etc.

MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)

Symbol

VDSS

VGSS

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Conditions

Ratings

Unit

VGS = 0V

VDS = 0V

500

IDM

Drain current (Pulsed)

Avalanche current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

Isolation voltage

IDA

L = 200µH

°C

Tch

–55 ~ +150

2000

Tstg

Viso

—

AC for 1minute, Terminal to case

Typical value

Weight

2.0

Sep. 2001

12 3 4

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