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FS150R17KE3G

更新时间： 2024-11-24 14:55:47

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英飞凌 - INFINEON		/
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FS150R17KE3G 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X29
针数：	29	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.08	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	240 A	集电极-发射极最大电压：	1700 V
配置：	3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X29	元件数量：	6
端子数量：	29	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1040 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1300 ns
标称接通时间 (ton)：	366 ns	VCEsat-Max：	2.45 V
Base Number Matches：	1

FS150R17KE3G 数据手册

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS150R17KE3G

EconoPACK™+ꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstopꢀIGBT³ꢀundꢀEmitterꢀControlled3ꢀDiodeꢀ

EconoPACK™+ꢀmoduleꢀwithꢀtrench/fieldstopꢀIGBT³ꢀandꢀEmitterꢀControlled3ꢀdiodeꢀ

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

1700

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_{vj max}= 150°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

I_{C nom}

I_C

150

240

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

300

1050

+/-20

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150

ꢀ W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 150 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

2,00 2,45

2,40

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 6,00 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

5,2

5,8

1,70

3,2

13,5

0,45

ꢀ

6,4

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1700 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

3,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 9,1 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,28

0,30

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 9,1 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,05

0,066

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 9,1 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,81

1,00

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 9,1 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,18

0,30

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 150 A, V_CE= 900 V, L_S= 80 nH

V_GE= ±15 V

R_Gon= 9,1 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

33,0

48,0

E_on

E_off

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 150 A, V_CE= 900 V, L_S= 80 nH

V_GE= ±15 V

R_Goff= 9,1 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

32,0

47,0

ꢀ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 1000 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

600

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

0,12 K/W

K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

0,047

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

125

°C

preparedꢀby:ꢀMW

approvedꢀby:ꢀWR

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-02

revision:ꢀ2.1

12 3 4 5 6 7 8

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与FS150R17KE3G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FS150R17KE3GBOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 240A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, ECONOPACK-29
FS150R17N3E4	INFINEON	获取价格	EconoPACK™ 3 1700 V，150 A 六单元 IGBT 模块，采用第四代快速
FS150R17N3E4_B11	INFINEON	获取价格	PressFIT
FS150R17N3E4B11BOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
FS150R17N3E4BOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1700V V(BR)CES
FS150R17PE4	INFINEON	获取价格	EconoPACK?4 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFIT /
FS150R17PE4BOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-20
FS152	LITTELFUSE	获取价格	See datasheet for operation details.
FS152-30	LITTELFUSE	获取价格	See datasheet for operation details.
FS152-60	LITTELFUSE	获取价格	See datasheet for operation details.

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