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FS15R06VL4_B2

更新时间： 2024-11-05 20:31:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网栅晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 258K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-15

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FS15R06VL4_B2 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：MODULE-15针数：15
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.6Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：20 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：COMPLEX
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X15
元件数量：6端子数量：15
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：80.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：115 ns标称接通时间 (ton)：22 ns
VCEsat-Max：2.55 VBase Number Matches：1

FS15R06VL4_B2 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FS15R06VL4_B2  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 25°C  
V†Š»  
600  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 75°C  
T† = 25°C  
I† ÒÓÑ  
I†  
15  
20  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms, T† = 75°C  
T† = 25°C  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
30  
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
80,5  
+/-20  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 15 A, V•Š = 15 V, TÝÎ = 25°C  
I† = 15 A, V•Š = 15 V, TÝÎ = 125°C  
V†Š ÙÈÚ  
1,95 2,55  
2,20  
V
V
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 0,40 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•ŠÚÌ  
Q•  
4,5  
5,5  
0,08  
0,0  
6,5  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
V•Š = -15 V ... +15 V  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
TÝÎ = 25°C  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
CØþÙ  
I†Š»  
I•Š»  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 600 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
0,675  
0,06  
nF  
nF  
mA  
nA  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
5,0  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
400  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 15 A, V†Š = 300 V  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 18 Â, TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 18 Â, TÝÎ = 125°C  
tÁ ÓÒ  
tØ  
0,012  
0,012  
µs  
µs  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 15 A, V†Š = 300 V  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 18 Â, TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 18 Â, TÝÎ = 125°C  
0,009  
0,01  
µs  
µs  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 15 A, V†Š = 300 V  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 18 Â, TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 18 Â, TÝÎ = 125°C  
tÁ ÓËË  
tË  
0,07  
0,08  
µs  
µs  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 15 A, V†Š = 300 V  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 18 Â, TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 18 Â, TÝÎ = 125°C  
0,017  
0,035  
µs  
µs  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 15 A, V†Š = 300 V, L» = 40 nH  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 18 Â, TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 18 Â, TÝÎ = 125°C  
EÓÒ  
EÓËË  
0,24  
0,35  
mJ  
mJ  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 15 A, V†Š = 300 V, L» = 40 nH  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 18 Â, TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 18 Â, TÝÎ = 125°C  
0,24  
0,36  
mJ  
mJ  
Kurzschlußverhalten  
SC data  
t« ù 10 µs, V•Š ù 15 V  
TÝÎù125°C, V†† = 360 V, V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
I»†  
68  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro IGBT  
per IGBT  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
1,55 1,70 K/W  
0,65 K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro IGBT / per IGBT  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Peter Kanschat  
approved by: Ralf Keggenhoff  
date of publication: 2003-7-25  
revision: 2.0  
1
1234567

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