FS14UM-9

更新时间： 2024-01-13 15:13:42

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET

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FS14UM-9 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SFM	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.38	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	450 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	14 A	最大漏极电流 (ID)：	14 A
最大漏源导通电阻：	0.52 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	150 W
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FS14UM-9 数据手册

MITSUBISHI Nch POWER MOSFET

FS14UM-9

HIGH-SPEED SWITCHING USE

ON-STATE VOLTAGE VS.

GATE-SOURCE VOLTAGE

(TYPICAL)

ON-STATE RESISTANCE VS.

DRAIN CURRENT

(TYPICAL)

2.0

1.6

1.2

0.8

= 25°C

Pulse Test

= 25A

20A

VGS = 10V

20V

14A

0.4

10^–12 3 5 7 10⁰2 3 5 7 10¹2 3 5 7 10²

GATE-SOURCE VOLTAGE

VGS (V)

DRAIN CURRENT ID (A)

FORWARD TRANSFER ADMITTANCE

VS.DRAIN CURRENT

(TYPICAL)

TRANSFER CHARACTERISTICS

(TYPICAL)

10²

TC=25°C

DS = 10V

= 25°C

DS = 50V

Pulse Test

75°C

125°C

10¹

10⁰

5 7 10¹

5 7 10²

GATE-SOURCE VOLTAGE

VGS (V)

DRAIN CURRENT ID (A)

CAPACITANCE VS.

DRAIN-SOURCE VOLTAGE

(TYPICAL)

SWITCHING CHARACTERISTICS

(TYPICAL)

10³

Tch = 25°C

DD = 200V

GS = 10V

Ciss

GEN = RGS = 50Ω

10³

d(off)

10²

Coss

Crss

10²

d(on)

Tch = 25°C

f = 1MHz

GS = 0V

10¹

2 3 5 7 10⁰2 3 5 7 10¹2 3 5 7 10²2 3

10⁰

5 7 10¹

5 7 10²

DRAIN-SOURCE VOLTAGE DS (V)

DRAIN CURRENT

ID (A)

Feb.1999

1 2 345

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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