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FS14VS-9A-T11

更新时间： 2024-01-29 22:14:39

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瑞萨 - RENESAS		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	71K
描述
14A, 450V, 0.52ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3

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技术参数
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FS14VS-9A-T11 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	LDPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.33	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	450 V	最大漏极电流 (ID)：	14 A
最大漏源导通电阻：	0.52 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	42 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FS14VS-9A-T11 数据手册

FS14VS-9A

High-Speed Switching Use

Nch Power MOS FET

REJ03G0274-0100

Rev.1.00

Aug.20.2004

Features

•

Drive voltage : 10 V

V_DSS: 450 V

_{DS(ON) (max)}: 0.52 Ω

I_D: 14 A

Outline

LDPAK(S)-1

2, 4

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

Applications

SMPS, lamp ballast

Maximum Ratings

(Tc = 25°C)

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

450

±30

Unit

Conditions

V_GS= 0 V

V_DS= 0 V

Drain current (Pulsed)

Avalanche current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

Mass

I_DM

I_DA

L = 200 µH

P_D

125

°C

Tch

Tstg

—

– 55 to +150

1.3

Typical value

Rev.1.00, Aug.20.2004, page 1 of 3

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FS14VS-9-T1	MITSUBISHI	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 450V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
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