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FS14UM-10

更新时间： 2024-01-06 05:10:16

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5页	83K
描述
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET

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FS14UM-10 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.38
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	14 A
最大漏极电流 (ID)：	14 A	最大漏源导通电阻：	0.64 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	42 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FS14UM-10 数据手册

MITSUBISHI Nch POWER MOSFET

FS14UM-10

HIGH-SPEED SWITCHING USE

ON-STATE VOLTAGE VS.

GATE-SOURCE VOLTAGE

(TYPICAL)

ON-STATE RESISTANCE VS.

DRAIN CURRENT

(TYPICAL)

2.0

1.6

1.2

0.8

= 25°C

Pulse Test

VGS = 10V

= 25A

20A

20V

14A

0.4

10^–12 3 5 7 10⁰2 3 5 7 10¹2 3 5 7 10²

GATE-SOURCE VOLTAGE

VGS (V)

DRAIN CURRENT ID (A)

FORWARD TRANSFER ADMITTANCE

VS.DRAIN CURRENT

(TYPICAL)

TRANSFER CHARACTERISTICS

(TYPICAL)

10²

= 25°C

DS = 50V

Pulse Test

TC = 25°C

75°C

125°C

10¹

DS = 10V

Pulse Test

10⁰

5 7 10¹

5 7 10²

GATE-SOURCE VOLTAGE

VGS (V)

DRAIN CURRENT ID (A)

CAPACITANCE VS.

DRAIN-SOURCE VOLTAGE

(TYPICAL)

SWITCHING CHARACTERISTICS

(TYPICAL)

10³

Tch = 25°C

DD = 200V

GS = 10V

Ciss

GEN = RGS = 50Ω

10³

d(off)

10²

Coss

Crss

10²

d(on)

Tch = 25°C

f = 1MHz

GS = 0V

10¹

2 3 5 7 10⁰2 3 5 7 10¹2 3 5 7 10²2 3

10⁰

5 7 10¹

5 7 10²

DRAIN-SOURCE VOLTAGE DS (V)

DRAIN CURRENT

ID (A)

Feb.1999

1 2 345

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与FS14UM-10相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FS14UM9	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 14A I(D) \| TO-220AB	获取价格
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FS14VS-10	MITSUBISHI	HIGH-SPEED SWITCHING USE	获取价格