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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FS14SM-18A
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FS14SM-18A

更新时间： 2024-02-09 12:27:32
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POWEREX 晶体开关晶体管功率场效应晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 50K
描述
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE

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FS14SM-18A 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.79
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：900 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：14 A
最大漏极电流 (ID)：14 A最大漏源导通电阻：0.85 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：275 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：42 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FS14SM-18A 数据手册

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MITSUBISHI Nch POWER MOSFET  
FS14SM-18A  
HIGH-SPEED SWITCHING USE  
ON-STATE VOLTAGE VS.  
GATE-SOURCE VOLTAGE  
(TYPICAL)  
ON-STATE RESISTANCE VS.  
DRAIN CURRENT  
(TYPICAL)  
50  
40  
30  
20  
10  
0
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
T
C
= 25°C  
T
C
= 25°C  
V
GS = 10V  
Pulse Test  
Pulse Test  
20V  
I
D
= 30A  
14A  
7A  
0
0
3
4
8
12  
16  
20  
10–1 2 3 5 7100 2 3 5 7101 2 3 5 7102  
GATE-SOURCE VOLTAGE  
V
GS (V)  
DRAIN CURRENT (A)  
ID  
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE  
VS.DRAIN CURRENT  
(TYPICAL)  
TRANSFER CHARACTERISTICS  
(TYPICAL)  
50  
40  
30  
20  
10  
0
2
T
V
C
= 25°C  
DS = 50V  
Pulse Test  
V
DS = 10V  
Pulse Test  
101  
7
5
3
2
TC = 25°C  
75°C  
100  
7
5
125°C  
3
2
4
8
12  
16  
20  
10–1  
2
3
5
7 100  
2
3
5
7 101  
GATE-SOURCE VOLTAGE  
V
GS (V)  
DRAIN CURRENT ID (A)  
CAPACITANCE VS.  
DRAIN-SOURCE VOLTAGE  
(TYPICAL)  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
(TYPICAL)  
104  
7
102  
7
5
5
3
2
Ciss  
t
d(off)  
3
2
103  
7
5
3
2
t
t
f
101  
7
5
r
Coss  
Crss  
102  
7
t
d(on)  
3
2
5
3
2
Tch = 25°C  
Tch = 25°C  
V
V
DD = 200V  
GS = 10V  
f = 1MH  
Z
V
GS = 0V  
RGEN = RGS = 50Ω  
101  
100  
5 7100 2 3 5 7101 2 3 5 7102 2 3  
100  
2
3
5
7 101  
2
3
5
7 102  
DRAIN-SOURCE VOLTAGE DS (V)  
V
DRAIN CURRENT  
ID (A)  
Feb.1999  
1234

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FS14SM-18A 替代型号

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