FR1D

更新时间： 2024-11-11 10:23:51

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		二极管光电二极管 IOT
页数	文件大小	规格书
3页	624K
描述
1 Amp Fast Recovery Silicon Rectifier 50 to 1000 Volts

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FR1D 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-214AA	包装说明：	PLASTIC, HSMB, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.06	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	200 V
最大反向恢复时间：	0.15 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

FR1D 数据手册

M C C

FR1A

THRU

FR1M

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

21201 Itasca Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Features

1 Amp Fast Recovery

Silicon Rectifier

For Surface Mount Applications

Extremely Low Thermal Resistance

Easy Pick And Place

High Temp Soldering: 250°C for 10 Seconds At Terminals

Superfast Recovery Times For High Efficiency

50 to 1000 Volts

Maximum Ratings

DO-214AA

(SMBJ) (Round Lead)

Operating Temperature: -50°C to +150°C

Storage Temperature: -50°C to +150°C

Maximum Thermal Resistance; 15°C/W Junction To Lead

Cathode Band

MCC

Catalog

Number

Device

Marking

Maximum

Recurrent

Peak Reverse

Voltage

50V

Maximum Maximum

RMS

Voltage

Blocking

Voltage

50V

FR1A

FR1B

FR1D

FR1G

FR1J

FR1K

FR1M

FR1A

FR1B

FR1D

FR1G

FR1J

FR1K

FR1M

35V

70V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

100V

140V

280V

420V

560V

700V

200V

400V

600V

800V

1000V

DIMENSIONS

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

INCHES

MIN

1.98

1.90

.05

-----

.90

1.65

5.21

4.06

3.30

Average Forward

current

I_F(AV)

1.0A

T_J= 90°C

DIM

MIN

.078

.075

.002

-----

.035

.065

.205

.160

.130

MAX

.116

.089

.008

.02

.055

.091

.224

.180

.155

MAX

2.95

2.25

.20

NOTE

Peak Forward Surge

Current

I_FSM

30A

8.3ms, half sine

.51

1.40

2.32

5.69

4.57

3.94

Maximum

I_FM= 1.0A;

Instantaneous

Forward Voltage

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

V_F

I_R

1.30V

T_J= 25°C*

SUGGESTED SOLDER

PAD LAYOUT

5mA

T_J= 25°C

200mA T_J= 125°C

0.090"

Maximum Reverse

Recovery Time

FR1A-G

FR1J

FR1K-M

Typical Junction

Capacitance

0.085”

T_rr

C_J

150ns

250ns

500ns

12pF

I_F=0.5A, I_R=1.0A,

I_rr=0.25A

Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

0.070”

*Pulse test: Pulse width 200 msec, Duty cycle 2%

www.mccsemi.com

12 3

中文翻译

下载PDF

与FR1D相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FR1D-7	DIODES	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, Silicon, DO-214AA, PLASTIC, SMB, 2 PIN
FR1DA	MDD	获取价格	SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIER
FR1DAFC	PANJIT	获取价格	SMAF-C
FR1DD	SWST	获取价格	快恢复整流管
FR1DF	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIER
FR1DFL	SUNMATE	获取价格	1A patch fast recovery diode 200V SOD-123 series
FR1D-GT3	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AA, PLASTIC, SMB, 2 PIN
FR1D-L	MCC	获取价格	Tape : 3K/Reel, 48K/Ctn;
FR1D-T	MCC	获取价格	Rectifier Diode,
FR1D-T1	WTE	获取价格	1.0A SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIER

与FR1D相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

23
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

7
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

8
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FR1D

FR1D 技术参数

FR1D 数据手册

与FR1D相关器件

与FR1D相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FR1D

FR1D 技术参数

FR1D 数据手册

与FR1D相关器件

与FR1D相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？