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FQU5N60C PDF预览

FQU5N60C

更新时间： 2024-01-10 07:36:30
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
9页 616K
描述
600V N-Channel MOSFET

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FQU5N60C 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-251
包装说明：ROHS COMPLIANT, IPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：3.9
雪崩能效等级（Eas）：210 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.8 A
最大漏极电流 (ID)：2.8 A最大漏源导通电阻：2.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：49 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：11.2 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQU5N60C 数据手册

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Electrical Characteristics  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Units  
Off Characteristics  
BV  
V
= 0 V, I = 250 µA  
GS D  
Drain-Source Breakdown Voltage  
600  
--  
--  
--  
--  
V
DSS  
∆BV  
Breakdown Voltage Temperature  
Coefficient  
DSS  
I
= 250 µA, Referenced to 25°C  
0.6  
V/°C  
D
/
∆T  
J
I
V
V
V
V
= 600 V, V = 0 V  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
1
µA  
µA  
nA  
nA  
DSS  
DS  
GS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
= 480 V, T = 125°C  
10  
DS  
GS  
GS  
C
I
= 30 V, V = 0 V  
Gate-Body Leakage Current, Forward  
Gate-Body Leakage Current, Reverse  
100  
-100  
GSSF  
DS  
I
= -30 V, V = 0 V  
GSSR  
DS  
On Characteristics  
V
V
V
V
= V , I = 250 µA  
Gate Threshold Voltage  
2.0  
--  
--  
4.0  
2.5  
--  
V
Ω
S
GS(th)  
DS  
GS  
DS  
GS  
D
R
Static Drain-Source  
On-Resistance  
DS(on)  
= 10 V, I = 1.4 A  
2.0  
4.7  
D
g
= 40 V, I = 1.4 A  
(Note 4)  
Forward Transconductance  
--  
FS  
D
Dynamic Characteristics  
C
C
C
Input Capacitance  
--  
--  
--  
515  
55  
670  
72  
pF  
pF  
pF  
iss  
V
= 25 V, V = 0 V,  
GS  
DS  
Output Capacitance  
oss  
rss  
f = 1.0 MHz  
Reverse Transfer Capacitance  
6.5  
8.5  
Switching Characteristics  
t
t
t
t
Turn-On Delay Time  
Turn-On Rise Time  
Turn-Off Delay Time  
Turn-Off Fall Time  
Total Gate Charge  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
10  
42  
38  
46  
15  
2.5  
6.6  
30  
90  
85  
100  
19  
--  
ns  
ns  
d(on)  
V
= 300 V, I = 4.5A,  
DD  
D
r
R
= 25 Ω  
G
ns  
d(off)  
f
(Note 4, 5)  
(Note 4, 5)  
ns  
Q
Q
Q
nC  
nC  
nC  
g
V
V
= 480 V, I = 4.5A,  
DS  
D
= 10 V  
gs  
gd  
GS  
--  
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings  
I
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
2.8  
11.2  
1.4  
--  
A
A
S
I
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current  
SM  
V
t
V
V
= 0 V, I = 2.8 A  
Drain-Source Diode Forward Voltage  
Reverse Recovery Time  
--  
V
SD  
GS  
S
= 0 V, I = 4.5 A,  
300  
2.2  
ns  
µC  
rr  
GS  
S
dI / dt = 100 A/µs  
(Note 4)  
Q
Reverse Recovery Charge  
--  
F
rr  
Notes:  
1. Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature  
2. L = 18.9mH, I = 4.5 A, V = 50V, R = 25 Ω, Starting T = 25°C  
AS  
DD  
G
J
3. I ≤ 4.5A, di/dt ≤ 200A/µs, V ≤ BV  
Starting T = 25°C  
SD  
DD  
DSS,  
J
4. Pulse Test : Pulse width ≤ 300µs, Duty cycle ≤ 2%  
5. Essentially independent of operating temperature  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, October 2003  
1234567...9

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