生命周期: | Active | 包装说明: | DIE |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.12 | Is Samacsys: | N |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 10 V |
FET 技术: | HIGH ELECTRON MOBILITY | 最高频带: | X BAND |
JESD-30 代码: | R-XUUC-N | 元件数量: | 1 |
工作模式: | DEPLETION MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | UNCASED CHIP | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 3.4 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET RF Small Signal | 表面贴装: | YES |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | UPPER |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FPD1050_1 | FILTRONIC |
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0.75W POWER PHEMT | |
FPD1050-000 | RFMD |
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0.75W POWER pHEMT | |
FPD1050-000S3 | RFMD |
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0.75W POWER pHEMT | |
FPD1050-000SQ | RFMD |
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0.75W POWER pHEMT | |
FPD1050SOT89 | FILTRONIC |
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LOW NOISE HIGH LINEARITY PACKAGED PHEMT | |
FPD1050SOT89_1 | FILTRONIC |
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LOW NOISE HIGH LINEARITY PACKAGED PHEMT | |
FPD1050SOT89E | FILTRONIC |
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LOW NOISE HIGH LINEARITY PACKAGED PHEMT | |
FPD1120 | ETC |
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Optoelectronic | |
FPD112HO | ETC |
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Optoelectronic | |
FPD1500 | RFMD |
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1W POWER pHEMT |