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FPD1050

更新时间： 2024-02-28 10:08:58

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FILTRONIC		晶体晶体管放大器
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2页	178K
描述
0.75W POWER PHEMT

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FPD1050 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DIE
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.12	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	10 V
FET 技术：	HIGH ELECTRON MOBILITY	最高频带：	X BAND
JESD-30 代码：	R-XUUC-N	元件数量：	1
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	UNCASED CHIP	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	3.4 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET RF Small Signal	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FPD1050 数据手册

FPD1050

0.75W POWER PHEMT

SOURCE

BOND

DRAIN

• FEATURES

BOND

PAD (2x)

♦ 28.5 dBm Linear Output Power at 12 GHz

♦ 11 dB Power Gain at 12 GHz

♦ 14 dB Maximum Stable Gain at 12 GHz

♦ 41 dBm Output IP3

PAD (2X)

GATE

BOND

♦ 45% Power-Added Efficiency

PAD (1X)

DIE SIZE: 470 x 440 µm

DIE THICKNESS: 100 µm

BONDING PADS: >85 x 60 µm

• DESCRIPTION AND APPLICATIONS

The FPD1050 is an AlGaAs/InGaAs pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (pHEMT),

featuring a 0.25 µm by 1050 µm Schottky barrier gate, defined by high-resolution stepper-based

photolithography. The recessed and offset Gate structure minimizes parasitics to optimize

performance. The epitaxial structure and processing have been optimized for reliable high-power

applications. The FPD750 also features Si₃N₄passivation and is also available in a low cost plastic

SOT89 plastic package.

Typical applications include commercial and other narrowband and broadband high-performance

amplifiers, including SATCOM uplink transmitters, PCS/Cellular low-voltage high-efficiency output

amplifiers, and medium-haul digital radio transmitters.

• ELECTRICAL SPECIFICATIONS AT 22°C

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ

Max Units

RF SPECIFICATIONS MEASURED AT f = 12 GHz USING CW SIGNAL

Power at 1dB Gain Compression

Maximum Stable Gain (S₂₁/S₁₂)

Power Gain at P_1dB

P_1dB

MSG

G_1dB

PAE

V_DS= 8 V; I_DS= 50% I_DSS

27.5

10.0

28.5

14.0

11.0

dBm

Power-Added Efficiency

_DS= 8 V; I_DS= 50% I_DSS

;

P_OUT= P_1dB

Output Third-Order Intercept Point

IP3

_DS= 10V; I_DS= 50% I_DSS

(from 15 to 5 dB below P_1dB

)

Matched for optimal power

Tuned for best IP3

dBm

Saturated Drain-Source Current

Maximum Drain-Source Current

Transconductance

Gate-Source Leakage Current

Pinch-Off Voltage

Gate-Source Breakdown Voltage

Gate-Drain Breakdown Voltage

Thermal Resistivity (see Notes)

I_DSS

I_MAX

G_M

I_GSO

|V_P|

V_DS= 1.3 V; V_GS= 0 V

V_DS= 1.3 V; V_GS≅ +1 V

V_DS= 1.3 V; V_GS= 0 V

V_GS= -5 V

V_DS= 1.3 V; I_DS= 1 mA

I_GS= 1 mA

250

315

520

280

1.0

375

µA

|V_BDGS

|V_BDGD

I_GD= 1 mA

_DS> 6V

θ_JC

°C/W

Phone: +1 408 850-5790

Fax: +1 408 850-5766

http:// www.filcs.com

Revised: 8/05/04

Email: sales@filcsi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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