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FPD1500

更新时间： 2024-02-01 11:06:01
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威讯 - RFMD 晶体晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
4页 238K
描述
1W POWER pHEMT

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FPD1500 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DFN
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.7Is Samacsys：N
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：8 V
FET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY最高频带：L BAND
JESD-30 代码：S-PDSO-N6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：2.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET RF Small Signal
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

FPD1500 数据手册

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FPD15001W  
Power pHEMT  
FPD1500  
1W POWER pHEMT  
Package Style: Bare Die  
Product Description  
Features  
The FPD1500 is an AlGaAs/InGaAs pseudomorphic High Electron Mobility Transis-  
tor (pHEMT), featuring a 0.25μmx1500μm Schottky barrier gate, defined by high -  
resolution stepper-based photolithography. The recessed gate structure minimizes  
parasitics to optimize performance. The epitaxial structure and processing have  
been optimized for reliable high-power applications. The FPD1500 is also available  
in the low-cost plastic SOT89 and DFN packages.  
„
29dBm Linear Output Power  
at 12GHz  
„
„
9dB Power Gain at 12GHz  
12.5dB Max Stable Gain at  
12GHz  
„
„
41 dBm O  
IP3  
35% Power-Added Efficiency  
Optimum Technology  
Matching® Applied  
Applications  
GaAs HBT  
GaAs MESFET  
InGaP HBT  
SiGe BiCMOS  
Si BiCMOS  
SiGe HBT  
„
Narrowband and Broadband  
High-Performance Amplifiers  
„
„
SATCOM Uplink Transmitters  
PCS/Cellular Low-Voltage  
High-Efficiency Output Ampli-  
fiers  
GaAs pHEMT  
9
Si CMOS  
Si BJT  
„
Medium-Haul Digital Radio  
Transmitters  
GaN HEMT  
InP HBT  
RF MEMS  
LDMOS  
Specification  
Parameter  
Unit  
Condition  
Min.  
28.5  
11.5  
8.0  
Typ.  
30.0  
12.5  
9.0  
Max.  
Power at P  
Gain Compression  
dBm  
dB  
V
V
V
V
V
=8V, I =50% I  
DS  
1dB  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DSS  
DSS  
DSS  
Maximum Stable Gain (S21/S12)  
=8V, I =50% I  
DS  
Power Gain at P  
PAE  
dB  
=8V, I =50% I  
DS  
1dB  
45  
%
=8V, I =50% I , P =P  
DS  
DSS  
DSS  
OUT  
1dB  
OIP from 15dB to 5dB below P  
41  
dBm  
dBm  
mA  
mA  
=8V, I =50% I  
DS  
3
1dB  
43  
Matched for optimal power, tuned for best IP  
3
Saturated Drain-Source Current (I  
Maximum Drain-Source Current  
)
375  
465  
750  
550  
V
V
=1.3V, V =0V  
DSS  
DS  
DS  
GS  
=1.3V, V ≈+1V  
GS  
(I  
)
MAX  
Transconductance  
400  
1
ms  
μA  
V
V
V
V
=1.3V, V =0 V  
DS  
GS  
DS  
GS  
Gate-Source Leakage Current (I  
)
15  
=-5V  
GSO  
Pinch-Off Voltage (V )  
|0.7|  
|1.0|  
|14.0|  
|1.3|  
=1.3V, I =1.5mA  
DS  
P
Gate-Source Breakdown Voltage  
(V  
|12.0|  
V
I
=1.5mA  
=1.5mA  
>6V  
GS  
)
BDGS  
Gate-Drain Breakdown Voltage  
(V  
|14.5|  
|16.0|  
42  
V
I
GD  
)
BDGD  
Thermal Resistivity (θJC) *  
Note: T  
°C/W  
V
DS  
=22°C, RF specifications measured at f=12GHz using CW signal.  
AMBIENT  
RF MICRO DEVICES®, RFMD®, Optimum Technology Matching®, Enabling Wireless Connectivity™, PowerStar®, POLARIS™ TOTAL RADIO™ and UltimateBlue™ are trademarks of RFMD, LLC. BLUETOOTH is a trade-  
mark owned by Bluetooth SIG, Inc., U.S.A. and licensed for use by RFMD. All other trade names, trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. ©2006, RF Micro Devices, Inc.  
7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 · For sales or technical  
support, contact RFMD at (+1) 336-678-5570 or sales-support@rfmd.com.  
Rev A1 DS090612  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FPD1500-000 RFMD

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 		1W POWER pHEMT
FPD1500-000S3 RFMD

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FPD1500-000SQ RFMD

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 		1W POWER pHEMT
FPD1500DFN FILTRONIC

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 		LOW NOISE, HIGH LINEARITY PACKAGED PHEMTT
FPD1500DFN_ FILTRONIC

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