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FP30R06KE3BOSA1

更新时间： 2024-11-05 14:50:19

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	580K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 37A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24

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FP30R06KE3BOSA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X24	针数：	24
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	2.12
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	37 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	COMPLEX
JESD-30 代码：	R-XUFM-X24	元件数量：	7
端子数量：	24	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	750 ns
标称接通时间 (ton)：	170 ns	Base Number Matches：	1

FP30R06KE3BOSA1 数据手册

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FP30R06KE3

EconoPIM™2ꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstopꢀIGBT³ꢀundꢀEmitterꢀControlled3ꢀDiodeꢀꢀ

EconoPIM™2ꢀmoduleꢀwithꢀtrench/fieldstopꢀIGBT³ꢀandꢀEmitterꢀControlled3ꢀdiodeꢀꢀ

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

600

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 65°C, T_{vj max}= 175°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 175°C

I_{C nom}

I_C

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 175

125

ꢀ W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/-20

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 30 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,55 2,00

1,70

1,80

V_{CE sat}

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 0,43 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

V_GEth

Q_G

4,9

5,8

0,30

0,0

1,65

0,051

ꢀ

6,5

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 600 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

1,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 30 A, V_CE= 300 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 56 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,10

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 30 A, V_CE= 300 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 56 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,06

0,065

0,07

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 30 A, V_CE= 300 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 56 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,60

0,65

0,70

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 30 A, V_CE= 300 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 56 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,04

0,045

0,05

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 30 A, V_CE= 300 V, L_S= 45 nH

V_GE= ±15 V, di/dt = 600 A/µs (T_vj= 150°C) T_vj= 125°C

R_Gon= 56 Ω

T_vj= 25°C

1,40

1,70

1,80

E_on

E_off

T_vj= 150°C

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 30 A, V_CE= 300 V, L_S= 45 nH

V_GE= ±15 V, du/dt = 2000 V/µs (T_vj= 150°C)T_vj= 125°C

R_Goff= 56 Ω

T_vj= 25°C

1,00

1,15

1,20

ꢀ

T_vj= 150°C

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 360 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

t_P≤ 8 µs, T_vj= 25°C

t_P≤ 6 µs, T_vj= 150°C

210

150

I_SC

ꢀ

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

0,40

ꢀ

1,20 K/W

K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

150

°C

preparedꢀby:ꢀAS

approvedꢀby:ꢀWR

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.0

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FP30R06W1E3	INFINEON	获取价格	EasyPIM module with Trench/Fieldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC
FP30R06W1E3_B11	INFINEON	获取价格	EasyPIM module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / N
FP30R06W1E3B11BOMA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 37A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-23
FP30R06YE3	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
FP30R07U1E4	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
FP30R07U1E4BPSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35
FP30U120BA	JSMC	获取价格	TO-220C-2L
FP3100	APITECH	获取价格	Narrow Band Low Power Amplifier, 500MHz Min, 1300MHz Max, FP4, FLATPACK-4
FP3-100	COOPER	获取价格	General Purpose Inductor
FP3-100-R	COOPER	获取价格	Low Profile Inductors

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