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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X23 | 针数： | 23 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 16 weeks | 风险等级： | 5 |
| Samacsys Confidence： | 4 | Samacsys Status： | Released |
| 2D Presentation： | https://componentsearchengine.com/2D/0T/1001651.1.2.png | Schematic Symbol： | https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=1001651 |
| PCB Footprint： | https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=1001651 | 3D View： | https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=1001651 |
| Samacsys PartID： | 1001651 | Samacsys Image： | https://componentsearchengine.com/Images/9/FP30R06W1E3.jpg |
| Samacsys Thumbnail Image： | https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/FP30R06W1E3.jpg | Samacsys Pin Count： | 27 |
| Samacsys Part Category： | Integrated Circuit | Samacsys Package Category： | Other |
| Samacsys Footprint Name： | FP30R06W1E3-1 | Samacsys Released Date： | 2019-11-14 13:22:25 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 37 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | COMPLEX | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X23 | 元件数量： | 7 |
| 端子数量： | 23 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 115 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 245 ns | 标称接通时间 (ton)： | 42 ns |
| VCEsat-Max： | 2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| FP30R06W1E3_B11 | INFINEON | EasyPIM module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / N |
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| FP30R06W1E3B11BOMA1 | INFINEON | Insulated Gate Bipolar Transistor, 37A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-23 |
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| FP30R06YE3 | EUPEC | IGBT-modules |
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| FP30R07U1E4 | INFINEON | Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| FP30R07U1E4BPSA1 | INFINEON | Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 |
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| FP30U120BA | JSMC | TO-220C-2L |
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