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FP30R06W1E3 PDF预览

FP30R06W1E3

更新时间： 2024-02-26 03:42:56
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英飞凌 - INFINEON 晶体二极管晶体管双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
12页 654K
描述
EasyPIM module with Trench/Fieldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC

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FP30R06W1E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X23针数：23
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：16 weeks风险等级：5
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
2D Presentation：https://componentsearchengine.com/2D/0T/1001651.1.2.pngSchematic Symbol：https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=1001651
PCB Footprint：https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=10016513D View：https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=1001651
Samacsys PartID：1001651Samacsys Image：https://componentsearchengine.com/Images/9/FP30R06W1E3.jpg
Samacsys Thumbnail Image：https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/FP30R06W1E3.jpgSamacsys Pin Count：27
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：Other
Samacsys Footprint Name：FP30R06W1E3-1Samacsys Released Date：2019-11-14 13:22:25
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：37 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：COMPLEX门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X23元件数量：7
端子数量：23最高工作温度：175 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：115 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：245 ns标称接通时间 (ton)：42 ns
VCEsat-Max：2 VBase Number Matches：1

FP30R06W1E3 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FP30R06W1E3  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Diode-Wechselrichter / diode-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Periodische Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
TÝÎ = 25°C  
Vçç¢  
600  
30  
V
A
A
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IŒ  
IŒç¢  
I²t  
Periodischer Spitzenstrom  
t« = 1 ms  
60  
repetitive peak forward current  
Grenzlastintegral  
I²t - value  
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C  
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 150°C  
90,0  
82,0  
A²s  
A²s  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
forward voltage  
IŒ = 30 A, V•Š = 0 V  
IŒ = 30 A, V•Š = 0 V  
IŒ = 30 A, V•Š = 0 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
1,60 2,00  
1,55  
1,50  
V
V
V
VŒ  
Iç¢  
QØ  
Rückstromspitze  
peak reverse recovery current  
IŒ = 30 A, - diŒ/dt = 2100 A/µs (TÝÎ=150°C)  
Vç = 300 V  
V•Š = -15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
44,0  
48,0  
49,0  
A
A
A
Sperrverzögerungsladung  
recovered charge  
IŒ = 30 A, - diŒ/dt = 2100 A/µs (TÝÎ=150°C)  
Vç = 300 V  
V•Š = -15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
1,30  
2,30  
2,70  
µC  
µC  
µC  
Abschaltenergie pro Puls  
reverse recovery energy  
IŒ = 30 A, - diŒ/dt = 2100 A/µs (TÝÎ=150°C)  
Vç = 300 V  
V•Š = -15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
0,35  
0,55  
0,65  
mJ  
mJ  
mJ  
EØþÊ  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro Diode / per diode  
pro Diode / per diode  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
1,60 1,75 K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
1,30  
K/W  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
Diode-Gleichrichter / diode-rectifier  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
TÝÎ = 25°C  
Vçç¢  
IŒç¢»¢  
I碻¢  
IŒ»¢  
1600  
30  
V
A
A
Durchlassstrom Grenzeffektivwert pro Dio.  
T† = 80°C  
forward current RMS maximum per diode  
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom  
T† = 80°C  
30  
maximum RMS current at Rectifier output  
Stoßstrom Grenzwert  
surge forward current  
tÔ = 10 ms, TÝÎ = 25°C  
tÔ = 10 ms, TÝÎ = 150°C  
300  
245  
A
A
Grenzlastintegral  
I²t - value  
tÔ = 10 ms, TÝÎ = 25°C  
tÔ = 10 ms, TÝÎ = 150°C  
450  
300  
A²s  
A²s  
I²t  
Charakteristische Werte / characteristic values  
Durchlassspannung  
TÝÎ = 150°C, IŒ = 30 A  
forward voltage  
min. typ. max.  
1,00  
VŒ  
Iç  
V
Sperrstrom  
reverse current  
TÝÎ = 150°C, Vç = 1600 V  
2,00  
mA  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro Diode  
per diode  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
1,20 1,35 K/W  
1,15 K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Diode / per diode  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: DK  
approved by: MB  
date of publication: 2009-12-08  
revision: 2.1  
3
1234567...12

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