FMW6

更新时间： 2024-02-29 01:30:01

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罗姆 - ROHM		晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
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描述
High transition frequency (dual transistors)

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FMW6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	18 V	配置：	SERIES, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	27	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
元件数量：	2	端子数量：	5
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FMW6 数据手册

EMX4 / UMW6N / UMW10N / UMX4N /

FMW6 / FMW10 / IMX4

Transistors

High transition frequency (dual transistors)

EMX4 / UMW6N / UMW10N / UMX4N /

FMW6 / FMW10 / IMX4

!Features

1) Two 2SC3837K chips in a EMT or UMT or SMT package.

2) High transition frequency. (f^T=1.5GHz)

3) Low output capacitance. (Cob=0.95pF)

!Equivalent circuit

EMX4 / UMX4N

IMX4

UMW6N

FMW6

UMW10

FMW10

(3) (2)

(1)

(4) (5)

(6)

(3) (2)

(1)

(3) (4)

(5)

(3)

(2)

(1)

(3)

(4)

(5)

(1)

(5)

(1)

(4)

(5)

(6)

(3)

(2)

(1)

(4)

(2)

(4)

(2)

!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

Limits

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

Collector current

EMX4 / UMW6N / UMW10N / UMX4N

Collector power

150(TOTAL)

300(TOTAL)

150

∗1

∗2

dissipation

FMW6 / FMW10 / IMX4

Junction temperature

Storage temperature

°C

Tstg

−55~

+150

∗1 120mW per element must not be exceeded.

∗2 200mW per element must not be exceeded.

!Electrical characteristics (Ta = 25°C)

Parameter

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cutoff current

Symbol

Min.

Typ.

−

Max.

−

Conditions

Unit

BV^CBO

BVCEO

BVEBO

=10µA

C=1mA

−

=10µA

CB=10V

EB=2V

CBO

EBO

CE(sat)

FE1 / FE2

−

0.5

270

0.5

µA

−

Emitter cutoff current

DC current transfer ratio

−

0.5

600

−

CE/I

=10V/10mA

=20mA/4mA

C/I

Collector-emitter saturation voltage

−

CE/I

=10V/10mA

=10V/10mA, f=200MHz

=0A

hFE pairing

Transition frequency

1500

0.95

−

1.6

∗

MHz

CE/I

Output capacitance

Cob

CB/f=10V/1MHz, I

∗Transition frequency of the device.

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