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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT PACKAGE | Reach Compliance Code： | compliant |
| Factory Lead Time： | 10 weeks 3 days | 风险等级： | 2.19 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | INDUCTANCE 0.15 MILLIHENRY |
| 认证： | UL; IEC; VDE; ENEC-10 | 滤波器类型： | THREE PHASE EMI FILTER |
| 高度： | 43 mm | 高电位： | 3000 V |
| 最大漏电流： | 3 mA | 长度： | 66 mm |
| 安装类型： | PANEL MOUNT | 工作频率： | 50/60Hz Hz |
| 最高工作温度： | 100 °C | 最低工作温度： | -25 °C |
| 物理尺寸： | L66.0XB51.0XH43.0 (mm)/L2.598XB2.008XH1.693 (inch) | 额定电流： | 20 A |
| 额定电压： | 440 V | 宽度： | 51 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FMW6T149 | ROHM |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 2-Element, Silicon, NPN, MINIMOLD, FMT, 5 |
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| FMW7 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 11V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon |
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| FMW73N20GSC | FUJI |
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Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 200V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FMW73N20GSC-K1 | FUJI |
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Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 200V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FMW79N60S1FDHF | FUJI |
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TO-247-P2 |
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| FMW79N60S1HF | FUJI |
获取价格 |
TO-247-P2 |
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| FMW7T148 | ROHM |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 2-Element, Silicon, NPN, SMT5, 5 PIN |
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| FMW7T149 | ROHM |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 2-Element, Silicon, NPN, MINIMOLD, FMT, 5 |
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| FMW8 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 11V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon |
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| FMW-81-0001 | SCHURTER |
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Compact 2-stage filter for 3-phase systems with neutral conductor |
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