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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5 |
| 针数： | 5 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.84 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 基于收集器的最大容量： | 1.6 pF | 集电极-发射极最大电压： | 18 V |
| 配置： | SERIES, 2 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE)： | 27 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G5 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 5 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 1500 MHz | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FMW7 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 11V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon |
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| FMW73N20GSC | FUJI |
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Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 200V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FMW73N20GSC-K1 | FUJI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 200V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FMW79N60S1FDHF | FUJI |
获取价格 |
TO-247-P2 |
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| FMW79N60S1HF | FUJI |
获取价格 |
TO-247-P2 |
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| FMW7T148 | ROHM |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 2-Element, Silicon, NPN, SMT5, 5 PIN |
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| FMW7T149 | ROHM |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 2-Element, Silicon, NPN, MINIMOLD, FMT, 5 |
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| FMW8 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 11V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon |
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| FMW-81-0001 | SCHURTER |
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Compact 2-stage filter for 3-phase systems with neutral conductor |
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| FMW8T148 | ROHM |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 2-Element, Silicon, NPN, SMT6, 6 PIN |
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