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FMB16N50ES

更新时间： 2024-04-09 19:01:59

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富士电机 - FUJI		/
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FMB16N50ES 数据手册

FUJI POWER MOSFET

FMI16N50ES

Drain-Source On-state Resistance

Gate Threshold Voltage vs. Tch

RDS(on)=f(Tch):ID=8A,VGS=10V

VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=250µA

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.0

max.

typ.

min.

max.

typ.

-50

-25

100

125

150

-50

-25

100

125

150

Tch [°C]

Typical Gate Charge Characteristics

VGS=f(Qg):ID=16A,Tch=25 °C

Typical Capacitance

C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz

10⁴

10³

10²

10¹

10⁰

Vcc= 100V

250V

400V

Ciss

Coss

Crss

10^-2

10^-1

10⁰

VDS [V]

10¹

10²

Qg [nC]

Typical Forward Characteristics of Reverse Diode

IF=f(VSD):80 µs pulse test,Tch=25 °C

Typical Switching Characteristics vs. ID

t=f(ID):Vcc=300V,VGS=10V,RG=18

10³

10²

10¹

10⁰

100

td(off)

td(on)

0.1

10^-1

10⁰

10¹

10²

0.00

0.25

0.50

0.75

1.00

1.25

1.50

VSD [V]

ID [A]

1 234 5

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