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FFSP2065BDN-F085

更新时间： 2024-01-13 07:16:48

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		二极管
页数	文件大小	规格书
6页	296K
描述
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20A, 650V, D2, TO-220-3L

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FFSP2065BDN-F085 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	43 weeks 1 day
风险等级：	1.56	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
Base Number Matches：	1

FFSP2065BDN-F085 数据手册

FFSP2065BDN−F085

TYPICAL CHARACTERISTICS

(T = 25°C UNLESS OTHERWISE NOTED (PER LEG))

10⁻⁵

T = −55^oC

T = 25 C

−6

T = 175^oC

T = 75^oC

T = 125^oC

T = 175^oC

−7

T = 125^oC

−8

T = 75^oC

T = 25^oC

T = −55^oC

−9

0.0 0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

100

200

300

400

500

600 650

V , FORWARD VOLTAGE (V)

V , REVERSE VOLTAGE (V)

Figure 1. Forward Characteristics

Figure 2. Reverse Characteristics

100

D = 0.1

D = 0.2

D = 0.3

D = 0.5

D = 0.7 D = 1

100

125

150

175

100

125

150

175

, CASE TEMPERATURE (^oC)

T , CASE TEMPERATURE (^oC)

Figure 3. Current Derating

Figure 4. Power Derating

1000

100

100 200 300 400 500 600 650

0.1

100

650

V , REVERSE VOLTAGE (V)

Figure 5. Capacitive Charge vs. Reverse Voltage

Figure 6. Capacitance vs. Reverse Voltage

www.onsemi.com

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