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FFSP2065BDN-F085

更新时间： 2024-01-07 21:36:58

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		二极管
页数	文件大小	规格书
6页	296K
描述
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20A, 650V, D2, TO-220-3L

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FFSP2065BDN-F085 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	43 weeks 1 day
风险等级：	1.56	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
Base Number Matches：	1

FFSP2065BDN-F085 数据手册

FFSP2065BDN−F085

TYPICAL CHARACTERISTICS

(T = 25°C UNLESS OTHERWISE NOTED)

100 200 300 400 500 600 650

V , REVERSE VOLTAGE (V)

Figure 7. Capacitance Stored Energy

DUTY CYCLE−DESCENDING ORDER

D=0.5

P_DM

0.1

0.01

D=0.2

D=0.1

D=0.05

D=0.02

D=0.01

t₁

t₂

NOTES:

(t) = r(t) x R

qJC

= 2.4 C/W

qJC

Peak T = P

x Z

(t) + T

qJC C

Duty Cycle, D = t / t

SINGLE PULSE

0.001

−6

−5

−4

−3

−2

−1

t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)

Figure 8. Junction-to-Case Transient Thermal Response Curve

TEST CIRCUIT AND WAVEFORMS

L = 0.5 mH

R < 0.1 W

= 50 V

EAVL = 1/2LI2 [V

/ (V − V )]

R(AVL) DD

R(AVL)

Q1 = IGBT (BV

> DUT V

)

CES

R(AVL)

AVL

CURRENT

SENSE

I V

DUT

−

Figure 9. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveform

www.onsemi.com

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