Datasheet > FF200R12KT3_E

FF200R12KT3_E

更新时间： 2024-01-03 09:50:12

阅读下载

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FF200R12KT3_E 数据手册

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FF200R12KT3_E

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Schaltplanꢀ/ꢀcircuit_diagram_headline

Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀpackageꢀoutlines

preparedꢀby:ꢀMK

approvedꢀby:ꢀWR

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-04

revision:ꢀ2.0

1...4 5 678

下载PDF

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FF200R12KT4	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 320A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7	获取价格
FF200R12KT4HOSA1	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 320A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7	获取价格
FF200R17KE3	EUPEC	IGBT-Modules	获取价格
FF200R17KE3	INFINEON	62 mm 1700V 200A 双 IGBT 模块, 是您设计工作的不二之选.	获取价格
FF200R17KE3_07	EUPEC	62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT and EmCon diode	获取价格
FF200R17KE3HOSA1	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 390A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7	获取价格