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FF200R12KS4P

更新时间： 2023-12-06 20:03:03

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英飞凌 - INFINEON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	500K
描述
Fast short tail IGBT chip

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FF200R12KS4P 数据手册

FF200R12KS4P

SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ

Z_thJHꢀ=ꢀfꢀ(t)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI_Cꢀ=ꢀ200ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

100

E_on, T_vj= 125°C

Z_thJH: IGBT

E_off, T_vj= 125°C

0,1

0,01

r_i[K/W]: 0,008

τ_i[s]: 0,000808 0,0333 0,136 1,06

0,0445 0,0424 0,0181

0,001

R_G[Ω]

0,01

0,1

t [s]

SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter

(RBSOA)

reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)

DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

I_Fꢀ=ꢀfꢀ(V_F)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ4.7ꢀΩ,ꢀT_vjꢀ=ꢀ125°C

450

400

I_C, Modul

I_C, Chip

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

400

350

300

250

200

150

100

350

300

250

200

150

100

200

400

600

800

1000 1200 1400

0,0

0,5

1,0

1,5

V_F[V]

2,0

2,5

3,0

V_CE[V]

Datasheet

Vꢀ3.0

2020-02-17

1...3 4 567 8 9

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