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FESB16JT-HE3/81

更新时间： 2024-11-09 15:32:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
5页 130K
描述
DIODE 16 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode

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FESB16JT-HE3/81 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：D2PAK
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.59
Base Number Matches：1

FESB16JT-HE3/81 数据手册

 浏览型号FESB16JT-HE3/81的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FESB16JT-HE3/81的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FESB16JT-HE3/81的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FESB16JT-HE3/81的Datasheet PDF文件第5页 
FES(F,B)16AT thru FES(F,B)16JT  
Vishay General Semiconductor  
Ultrafast Plastic Rectifier  
FEATURES  
TO-220AC  
ITO-220AC  
• Glass passivated chip junction  
• Ultrafast recovery time  
• Low switching losses, high efficiency  
• High forward surge capability  
2
2
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF  
1
maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)  
1
FES16xT Series  
FESF16xT Series  
• Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AC and  
ITO-220AC package)  
PIN 1  
PIN 1  
CASE  
PIN 2  
PIN 2  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
TO-263AB  
K
TYPICAL APPLICATIONS  
2
For use in high frequency rectifier of switching mode  
power supplies, inverters, freewheeling diodes,  
dc-to-dc converters, and other power switching  
application.  
1
FESB16xT Series  
PIN 1  
K
PIN 2  
HEATSINK  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-220AC, ITO-220AC, TO-263AB  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
16 A  
50 V to 600 V  
250 A  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class  
1A whisker test, HE3 suffix for high reliability grade  
(AEC Q101 qualified), meets JESD 201 class 2  
whisker test  
VRRM  
IFSM  
trr  
35 ns, 50 ns  
0.975 V, 1.30 V, 1.50 V  
150 °C  
VF  
TJ max.  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
C
FES  
16AT  
FES  
16BT  
FES  
16CT  
FES  
16DT  
FES  
16FT  
FES  
16GT  
FES  
16HT  
FES  
16JT  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
Maximum repetitive  
peak reverse voltage  
VRRM  
50  
100  
150  
200  
300  
400  
500  
600  
V
Maximum RMS voltage  
VRMS  
VDC  
35  
50  
70  
105  
150  
140  
200  
210  
300  
280  
400  
350  
500  
420  
600  
V
V
Maximum DC blocking voltage  
100  
Maximum average forward  
rectified current at TC = 100 °C  
IF(AV)  
16  
A
Peak forward surge current  
8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
250  
A
Operating storage and  
temperature range  
TJ, TSTG  
- 65 to + 150  
1500  
°C  
V
Isolation voltage (ITO-220AC only)  
from terminal to heatsink t = 1 min  
VAC  
Document Number: 88599  
Revision: 07-Jan-08  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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与FESB16JT-HE3/81相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FESB16JTHE3_A/I VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 600V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2
FESB16JTR THINKISEMI

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 		16.0 Ampere Surface Mount Type Negative Ultra Fast Recovery Rectifier Diode
FESB16KT THINKISEMI

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 		16.0 Amperes Surface Mount Type Positive Ultra Fast Recovery Rectifier Diode
FESB16KTR THINKISEMI

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 		16.0 Ampere Surface Mount Type Negative Ultra Fast Recovery Rectifier Diode
FESB16LT THINKISEMI

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 		16.0 Amperes Surface Mount Type Positive Ultra Fast Recovery Rectifier Diode
FESB16LTR THINKISEMI

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FESB16NT THINKISEMI

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