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FES8CT

更新时间: 2024-10-02 20:23:51
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FRONTIER /
页数 文件大小 规格书
4页 200K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, Silicon

FES8CT 技术参数

生命周期:Contact ManufacturerReach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.35
Is Samacsys:N应用:ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.95 VJESD-30 代码:R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流:125 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:8 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified最大反向电流:10 µA
最大反向恢复时间:0.035 µs表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

FES8CT 数据手册

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