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FES8DT

更新时间： 2024-11-28 03:36:35
品牌 Logo 应用领域
EIC 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 49K
描述
Ultrafast Plastic Rectifiers

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FES8DT 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.75
Is Samacsys：NBase Number Matches：1

FES8DT 数据手册

 浏览型号FES8DT的Datasheet PDF文件第2页 
Ultrafast Plastic Rectifiers  
FES8AT - FES8JT  
TO-220AC  
PRV : 50 - 600 Volts  
Io : 8 Ampere  
0.154(3.91)DIA.  
0.148(3.74)  
0.185(4.70)  
0.175(4.44)  
0.415(10.54)MAX.  
0.055(1.39)  
0.045(1.14)  
0.113(2.87)  
0.103(2.62)  
FEATURES :  
0.145(3.68)  
0.135(3.43)  
* High current capability  
* High surge current capability  
* Low leakage, high voltage  
* Glass passivated chip junction  
0.603(15.32)  
0.573(14.55)  
0.635(16.13)  
0.625(15.87)  
0.350(8.89)  
0.330(8.39)  
1
2
0.160(4.06)  
0.140(3.56)  
* Pb / RoHS Free  
PIN 1  
0.560(14.22)  
0.530(13.46)  
CASE  
MECHANICAL DATA :  
* Case : Epoxy, Molded  
PIN 2  
0.037(0.94)  
0.027(0.68)  
0.022(0.56)  
0.014(0.36)  
0.205(520)  
0.195(4.95)  
* Lead Temperature for Soldering Purposes:  
260°C Max. for 10 Seconds  
* Polarity: As marked  
Dimensions in inches and ( millimeters )  
* Mounting Position: Any  
* Weight : 2.24 grams (Approximately)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.  
FES FES FES FES FES FES FES FES  
8AT 8BT 8CT 8DT 8FT 8GT 8HT 8JT  
RATING  
SYMBOL  
UNIT  
VRRM  
VRMS  
VDC  
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
50  
35  
50  
100  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
300  
210  
300  
400  
280  
400  
500  
350  
500  
600  
420  
600  
V
V
V
A
70  
Maximum DC Blocking Voltage  
100  
IF(AV)  
Maximum Average Forward Current, Tc = 100°C  
Maximum Peak Forward Surge Current  
8.0  
IFSM  
200  
125  
A
8.3ms single half sine-wave superimposed on  
rated load (JEDEC Method) at Tc = 100°C  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at IF = 8 A  
VF  
IR  
0.95  
35  
1.3  
1.5  
50  
V
mA  
mA  
ns  
Maximum Reverse Current at  
Rated DC Blocking Voltage  
Tc = 25 °C  
10  
IR(H)  
Trr  
Tc = 100 °C  
500  
Maximum Reverse Recovery Time ( Note 1 )  
Typical junction capacitance at 4V, 1MHz  
Maximum Thermal Resistance, Junction to Case  
Operating storage and temperature range  
50  
Cj  
85  
pF  
RθJC  
TJ, TSTG  
2.2  
°C/W  
°C  
- 55 to + 150  
Note :  
(1) Reverse Recovery Test Conditions : IF = 0.5A, IR = 1A ; Irr = 0.25 A  
Page 1 of 2  
Rev. 02 : March 31, 2005  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FES8DT-E3/45 VISHAY

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 		DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
FES8DTHE3/45 VISHAY

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 		DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
FES8DT-HE3/45 VISHAY

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FES8FT EIC

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 300V V(RRM), Silicon, TO-220AC, LEAD FREE, PLASTI
FES8FTHE3/45 VISHAY

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 		DIODE GEN PURP 300V 8A TO220AC

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