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FES8GT

更新时间: 2024-11-28 20:23:51
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FRONTIER /
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4页 200K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, Silicon,

FES8GT 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:R-PSFM-T2
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.35Is Samacsys:N
应用:ULTRA FAST RECOVERY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.3 V
JESD-30 代码:R-PSFM-T2最大非重复峰值正向电流:125 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:8 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
最大反向电流:10 µA最大反向恢复时间:0.05 µs
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

FES8GT 数据手册

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