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FDY302NZ

更新时间： 2024-02-20 18:52:12

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安森美 - ONSEMI		/
页数	文件大小	规格书
8页	379K
描述
N 沟道 2.5V 额定 PowerTrench® MOSFET 20V，0.6A，0.3Ω

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FDY302NZ 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-89
包装说明：	ROHS COMPLIANT, SC-89, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.37
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	0.6 A	最大漏源导通电阻：	0.3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	COMMERCIAL	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDY302NZ 数据手册

JANUARY 2014

FDY302NZ

Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench^®MOSFET

General Description

Features

This Single N-Channel MOSFET has been designed

using Fairchild Semiconductor’s advanced Power

Trench process to optimize the R_DS(ON)@ V_GS= 2.5V.

• 600 mA, 20 V R_DS(ON)= 300 mΩ @ V_GS= 4.5 V

_DS(ON)= 500 mΩ @ V_GS= 2.5 V

Applications

• ESD protection diode (note 3)

• RoHS Compliant

• Li-Ion Battery Pack

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Ratings

Unit

V_DS

V_GS

I_D

Drain-Source Voltage

600

1000

Gate-Source Voltage

Drain Current – Continuous

– Pulsed

(Note 1a)

P_D

Power Dissipation (Steady State)

(Note 1a)

(Note 1b)

625

446

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature

Range

–55 to +150

°C

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient ^{(Note 1a)}

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient ^{(Note 1b)}

200

280

R_θJA

°C/W

R_θJA

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

FDY302NZ

7 ’’

8 mm

3000 units

www.fairchildsemi.com

FDY302NZ Rev B

123 4 5 6 7 8

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与FDY302NZ相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FDY4000CZ	FAIRCHILD	Complementary N & P-Channel PowerTrench MOSFET	获取价格
FDY4000CZ	ONSEMI	互补，N 和 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，20V	获取价格
FDY4001CZ	FAIRCHILD	Complementary N & P-Channel PowerTrench MOSFET	获取价格
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