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FDMS0312AS

更新时间： 2024-01-30 20:40:24

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安森美 - ONSEMI		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	504K
描述
N 沟道，PowerTrench® SyncFET™，30V，22A，5.0mΩ

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FDMS0312AS 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	8 weeks	风险等级：	0.97
雪崩能效等级（Eas）：	33 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	22 A	最大漏极电流 (ID)：	18 A
最大漏源导通电阻：	0.005 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MO-240AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-F5
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	36 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDMS0312AS 数据手册

FDMS0312AS

TYPICAL CHARACTERISTICS (continued)

(T = 25°C unless otherwise noted)

3000

1000

= 18 A

iss

= 15 V

= 10 V

oss

= 20 V

100

rss

f = 1 MHz

= 0 V

0.1

, Drain to Source Voltage (V)

Q , Gate Charge (nC)

Figure 8. Capacitance vs. Drain to Source

Voltage

Figure 7. Gate Charge Characteristics

T = 25°C

= 10 V

= 4.5 V

T = 100°C

T = 125°C

= 3.4°C/W

Limited by Package

25 50

0.001

0.01

0.1

100

125

150

, Time in Avalanche (ms)

T , Case Temperature (5C)

Figure 9. Unclamped Inductive Switching

Capability

Figure 10. Maximum Continuous Drain

Current vs. Case Temperature

200

100

2000

1000

SINGLE PULSE

= 125°C/W

100 ms

T = 25°C

1 ms

100

10 ms

THIS AREA IS

LIMITED BY R

100 ms

DS(on)

1 s

SINGLE PULSE

0.1

T = MAX RATED

10 s

= 125°C/W

T = 25°C

0.01

0.5

−4

−3

−2

−1

, Drain to Source Voltage (V)

100

0.01

0.1

100

1000

t, Pulse Width (s)

Figure 11. Forward Bias Safe Operating Area

Figure 12. Single Pulse Maximum Power

Dissipation

www.onsemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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