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FDMS0312AS

更新时间： 2024-01-18 09:41:56

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安森美 - ONSEMI		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	504K
描述
N 沟道，PowerTrench® SyncFET™，30V，22A，5.0mΩ

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FDMS0312AS 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	8 weeks	风险等级：	0.97
雪崩能效等级（Eas）：	33 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	22 A	最大漏极电流 (ID)：	18 A
最大漏源导通电阻：	0.005 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MO-240AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-F5
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	36 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDMS0312AS 数据手册

FDMS0312AS

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)

Symbol

Parameter

Value

Unit

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage (Note 4)

Drain Current

Continuous (Package limited)

Continuous (Silicon limited)

Continuous (Note 1a)

Pulsed

= 25°C

T = 25°C

100

Single Pulse Avalanche Energy (Note 3)

Power Dissipation

= 25°C

T = 25°C

2.5

(Note 1a)

T , T

Operating and Storage Junction Temperature Range

−55 to +150

°C

STG

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality

should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected.

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Parameter

Value

3.4

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1a)

°C/W

www.onsemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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