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FDD8770

更新时间： 2024-02-03 17:35:30
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
6页 310K
描述
N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 35A, 4.0mOHM

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FDD8770 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
包装说明：ROHS COMPLIANT, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：4.46
雪崩能效等级（Eas）：113 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：35 A最大漏极电流 (ID)：35 A
最大漏源导通电阻：0.0055 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：115 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：407 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDD8770 数据手册

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Typical Characteristics TJ = 25°C unless otherwise noted  
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
4
3
2
1
0
PULSE DURATION = 80µs  
DUTY CYCLE = 0.5%MAX  
VGS = 3V  
PULSE DURATION = 80µs  
DUTY CYCLE = 0.5%MAX  
VGS = 10V  
VGS = 4.5V  
VGS = 3.5V  
VGS = 3V  
VGS = 3.5V  
VGS = 4.5V  
VGS = 10V  
0
1
2
3
4
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
ID, DRAIN CURRENT(A)  
VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 1. On Region Characteristics  
Figure 2. Normalized On-Resistance vs Drain  
Current and Gate Voltage  
12  
1.8  
PULSE DURATION = 80µs  
ID = 35A  
ID = 35A  
DUTY CYCLE = 0.5%MAX  
VGS = 10V  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
10  
8
TJ = 175oC  
6
4
TJ = 25oC  
2
-80  
-40  
0
40  
80  
120  
160  
200  
2
4
6
8
10  
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (oC)  
VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 3. Normalized On Resistance vs Junction  
Temperature  
Figure 4. On-Resistance vs Gate to Source  
Voltage  
120  
100  
PULSE DURATION = 80µs  
VGS = 0V  
DUTY CYCLE = 0.5%MAX  
100  
10  
TJ = 175oC  
80  
TJ = 175oC  
TJ = 25oC  
1
60  
0.1  
40  
20  
0
TJ = 25oC  
TJ = -55oC  
TJ = -55oC  
0.01  
1E-3  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
3.5  
4.0  
0.0  
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
VSD, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)  
VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 5. Transfer Characteristics  
Figure 6. Source to Drain Diode Forward  
Voltage vs Source Current  
3
www.fairchildsemi.com  
FDD8770/FDU8770 Rev. A  
123456

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FDD8770 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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STP55NF06 STMICROELECTRONICS

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 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:25V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
FDD8780-G FAIRCHILD

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