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FDD8750

更新时间： 2024-02-13 06:16:53
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
6页 376K
描述
N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 2.7A, 40mohm

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FDD8750 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-252
包装说明：DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.38
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：19 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：25 V最大漏极电流 (ID)：6.5 A
最大漏源导通电阻：63 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：14 A认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDD8750 数据手册

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Typical Characteristics TJ = 25°C unless otherwise noted  
10  
600  
V
DD  
= 8V  
I
D
= 2.7A  
8
6
4
2
0
C
iss  
V
= 13V  
DD  
C
oss  
V
DD  
= 18V  
100  
20  
C
rss  
f = 1MHz  
= 0V  
V
GS  
30  
0
2
4
6
8
0.1  
1
10  
Q , GATE CHARGE(nC)  
g
VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 7. Gate Charge Characteristics  
Figure8. C a p a c i t a n c e v s D r a i n  
to Source Voltage  
3
20  
16  
12  
8
TJ = 25oC  
V
= 10V  
=4.5V  
GS  
2
TJ = 125oC  
TJ = 150oC  
Limited by Package  
V
GS  
4
R
θJC  
= 8oC/W  
50  
1
1E-3  
0
0.01  
0.1  
1
10  
25  
75  
100  
125  
150  
175  
TC, CASE TEMPERATURE (oC)  
tAV, TIME IN AVALANCHE(ms)  
Figure9. U n c l a m p e d I n d u c t i v e  
Switching Capability  
Figure10. Maximum Continuous Drain  
Current vs Case Temperature  
3000  
50  
10  
FOR TEMPERATURES  
VGS = 10V  
o
ABOVE 25 C DERATE PEAK  
1000  
100  
10  
CURRENT AS FOLLOWS:  
100us  
175 – T  
c
I = I  
----------------------  
25  
150  
o
T
= 25 C  
c
1
1ms  
10ms  
DC  
OPERATION IN THIS  
AREA MAY BE  
LIMITED BY rDS(on)  
SINGLE PULSE  
T
T
= MAX RATED  
J
= 25O  
C
SINGLE PULSE  
C
0.1  
0.1  
60  
10-5  
10-4  
10-3  
t, PULSE WIDTH (s)  
10-2  
10-1  
100  
101  
1
10  
VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 11. Forward Bias Safe  
Operating Area  
Figure12. Single Pulse Maximum  
Power Dissipation  
www.fairchildsemi.com  
4
FDD8750 Rev.C  
123456

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FDD8750 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:25V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
FDD8780-G FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench MOSFET
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