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FDD8750

更新时间： 2024-01-14 15:13:10
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
6页 376K
描述
N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 2.7A, 40mohm

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FDD8750 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-252
包装说明：DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.38
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：19 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：25 V最大漏极电流 (ID)：6.5 A
最大漏源导通电阻：63 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：14 A认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDD8750 数据手册

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Typical Characteristics TJ = 25°C unless otherwise noted  
60  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
PULSE DURATION = 80µs  
DUTY CYCLE = 0.5%MAX  
PULSE DURATION = 80µs  
DUTY CYCLE = 0.5%MAX  
50  
V
= 10V  
GS  
VGS = 4V  
40  
30  
20  
10  
0
VGS = 4.5V  
V
= 5V  
GS  
V
= 4.5V  
GS  
VGS = 5V  
VGS = 10V  
40  
V
= 4V  
GS  
0.0  
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
0
10  
20  
30  
50  
60  
ID, DRAIN CURRENT(A)  
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)  
DS  
Figure 1. On Region Characteristics  
Figure2. N o r m a l i ze d O n - R e s i s t a n c e  
vs Drain Current and Gate Voltage  
100  
1.8  
PULSE DURATION = 80µs  
DUTY CYCLE = 0.5%MAX  
ID = 2.7A  
GS = 10V  
I
D
= 7.4A  
V
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
80  
60  
40  
20  
T = 150oC  
J
T
J
= 25oC  
3
4
5
6
7
8
9
10  
-75 -50 -25  
0
25 50 75 100 125 150 175  
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (oC)  
VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 3. Normalized On Resistance  
vs Junction Temperature  
Figure4. On-Resistance vs Gate to  
Source Voltage  
40  
20  
PULSE DURATION = 80µs  
DUTY CYCLE = 0.5%MAX  
10  
1
V
GS  
= 0V  
30  
= -55oC  
T
J
= 25oC  
T
J
20  
10  
0
T
= 25oC  
0.1  
J
T = 175oC  
J
T = 175oC  
J
0.01  
T
= -55oC  
1.0  
J
1E-3  
0
2
4
6
8
0.0  
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.2  
VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)  
SD  
Figure 5. Transfer Characteristics  
Figure6. Source to Drain Diode  
Forward Voltage vs Source Current  
www.fairchildsemi.com  
3
FDD8750 Rev.C  
123456

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FDD8750 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDD8778 FAIRCHILD

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:25V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
FDD8780-G FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDD8782 FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench MOSFET
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