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FDD8750

更新时间: 2024-01-14 15:13:10
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
6页 376K
描述
N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 2.7A, 40mohm

FDD8750 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-252
包装说明:DPAK-3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.38
其他特性:AVALANCHE RATED雪崩能效等级(Eas):19 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:25 V最大漏极电流 (ID):6.5 A
最大漏源导通电阻:63 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-252JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):14 A认证状态:COMMERCIAL
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

FDD8750 数据手册

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Typical Characteristics TJ = 25°C unless otherwise noted  
60  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
PULSE DURATION = 80µs  
DUTY CYCLE = 0.5%MAX  
PULSE DURATION = 80µs  
DUTY CYCLE = 0.5%MAX  
50  
V
= 10V  
GS  
VGS = 4V  
40  
30  
20  
10  
0
VGS = 4.5V  
V
= 5V  
GS  
V
= 4.5V  
GS  
VGS = 5V  
VGS = 10V  
40  
V
= 4V  
GS  
0.0  
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
0
10  
20  
30  
50  
60  
ID, DRAIN CURRENT(A)  
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)  
DS  
Figure 1. On Region Characteristics  
Figure2. N o r m a l i ze d O n - R e s i s t a n c e  
vs Drain Current and Gate Voltage  
100  
1.8  
PULSE DURATION = 80µs  
DUTY CYCLE = 0.5%MAX  
ID = 2.7A  
GS = 10V  
I
D
= 7.4A  
V
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
80  
60  
40  
20  
T = 150oC  
J
T
J
= 25oC  
3
4
5
6
7
8
9
10  
-75 -50 -25  
0
25 50 75 100 125 150 175  
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (oC)  
VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 3. Normalized On Resistance  
vs Junction Temperature  
Figure4. On-Resistance vs Gate to  
Source Voltage  
40  
20  
PULSE DURATION = 80µs  
DUTY CYCLE = 0.5%MAX  
10  
1
V
GS  
= 0V  
30  
= -55oC  
T
J
= 25oC  
T
J
20  
10  
0
T
= 25oC  
0.1  
J
T = 175oC  
J
T = 175oC  
J
0.01  
T
= -55oC  
1.0  
J
1E-3  
0
2
4
6
8
0.0  
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.2  
VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)  
SD  
Figure 5. Transfer Characteristics  
Figure6. Source to Drain Diode  
Forward Voltage vs Source Current  
www.fairchildsemi.com  
3
FDD8750 Rev.C  

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