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FDD86569-F085

更新时间： 2023-09-03 20:37:02

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安森美 - ONSEMI		/
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7页	544K
描述
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 60 V，90 A，5.7 mΩ

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FDD86569-F085 数据手册

Typical Characteristics

150

120

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

V_GS= 10V

CURRENT LIMITED

BY SILICON

CURRENT LIMITED

BY PACKAGE

100

125

150

175

100

125

150

175

200

T_C, CASE TEMPERATURE(^oC)

Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs.

Case Temperature

Figure 1. Normalized Power Dissipation vs. Case

Temperature

DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

0.1

NOTES:

DUTY FACTOR: D = t /t

SINGLE PULSE

PEAK T = P

x Z

x R

+ T

θJA

θJA C

0.01

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

10⁰

10¹

t, RECTANGULAR PULSE DURATION(s)

Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance

10000

T_C= 25^oC

V_GS= 10V

FOR TEMPERATURES

ABOVE 25^oC DERATE PEAK

CURRENT AS FOLLOWS:

175 - T_C

I = I₂₅

1000

100

150

SINGLE PULSE

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

10⁰

10¹

t, RECTANGULAR PULSE DURATION(s)

Figure 4. Peak Current Capability

www.onsemi.com

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