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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> FD1500BV-90DA
FD1500BV-90DA PDF预览

FD1500BV-90DA

更新时间： 2024-11-20 22:07:07
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 整流二极管高功率软恢复电源高功率电源软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
3页 31K
描述
HIGH POWER, HIGH FREQUENCY, PRESS PACK TYPE

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FD1500BV-90DA 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：O-MEDB-N2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.82
Is Samacsys：N其他特性：FREEWHEELING DIODE
应用：HIGH POWER SOFT RECOVERY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：3.5 VJESD-30 代码：O-MEDB-N2
最大非重复峰值正向电流：30000 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-20 °C
最大输出电流：1500 A封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：DISK BUTTON
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：4500 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：END
Base Number Matches：1

FD1500BV-90DA 数据手册

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MITSUBISHI SOFT RECOVERY DIODES  
FD1500BV-90DA  
HIGH POWER, HIGH FREQUENCY,  
PRESS PACK TYPE  
OUTLINE DRAWING  
Dimensions in mm  
FD1500BV-90DA  
6.35 × 10.8  
φ3.5 ± 0.2  
2.2 ± 0.2DEPTH  
φ85 ± 0.2  
TYPE NAME  
12 ± 2  
φ85 ± 0.2  
φ120MAX  
¡IF(AV) Average forward current ..................... 1500A  
¡VRRM Repetitive peak reverse voltage ................... 4500V  
φ3.5 ± 0.2  
2.2 ± 0.2DEPTH  
¡QRR  
Reverse recovery charge ................. 3600µC  
¡Press pack type  
APPLICATION  
Free wheel diode for GCT Thyristor  
High-power inverters  
Power supplies as high frequency rectifiers  
MAXIMUM RATINGS  
Voltage class  
Symbol  
Parameter  
Unit  
4500  
4500  
3600  
3000  
VRRM  
VRSM  
VR(DC)  
VLTDS  
Repetitive peak reverse voltage  
Non-repetitive peak reverse voltage  
DC reverse voltage  
V
V
V
V
Long term DC stability voltage at 100FIT  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Ratings  
Unit  
A
Applied for all conduction angles  
RMS forward current  
2350  
1500  
IF(RMS)  
IF(AV)  
IFSM  
I2t  
Average forward current  
Surge forward current  
Current-squared, time integration  
f = 60Hz, sine wave θ = 180°, Tf = 65°C  
A
30  
3.7 × 106  
kA  
A2s  
One half cycle at 60Hz, Tj=125°C  
Critical rate of rise of reverse IFM = 1500A, VR ≤ 2250V, Tj = 125°C, With clamp circuit  
di/dt  
2000  
A/µs  
recovery current  
Junction temperature  
Storage temperature  
Mounting force required  
Weight  
(Refer to Fig. 1 and Fig. 2)  
Tj  
–20 ~ 125  
–40 ~ 150  
39 ~ 55  
—
°C  
°C  
kN  
g
Tstg  
—
(Recommended value 47kN)  
Typical 1220g  
—
Feb.1999  
123

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与FD1500BV-90DA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FD1500CV-90DA MITSUBISHI

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 		HIGH POWER, HIGH FREQUENCY PRESS PACK TYPE
FD1500W ETC

获取价格

 		Large Area InGaAs PIN Photodiodes diameter of active area=1.5 mm
FD150-100S05 INFINEON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 16A, 1000V V(RRM),
FD150-10S02 INFINEON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 16A, 100V V(RRM),
FD150-10S05 INFINEON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 16A, 100V V(RRM),
FD150-20S02 INFINEON

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FD150-40S02 INFINEON

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 16A, 400V V(RRM),
FD150-40S05 INFINEON

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 16A, 400V V(RRM),
FD1505 FAIRCHILD

获取价格

 		Synchronous Step-Down MOSFET Driver

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