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FCPF20N60T PDF预览

FCPF20N60T

更新时间： 2024-11-11 21:06:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 1041K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN

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FCPF20N60T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220F
包装说明：LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.3
雪崩能效等级（Eas）：690 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.19 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：39 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FCPF20N60T 数据手册

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December 2008  
TM  
SuperFET  
FCP20N60 / FCPF20N60  
600V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
TM  
•
•
•
•
•
•
650V @T = 150°C  
SuperFET  
is, Fairchild’s proprietary, new generation of high  
J
voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge  
balance mechanism for outstanding low on-resistance and  
lower gate charge performance.  
Typ. R  
= 0.15Ω  
DS(on)  
Ultra low gate charge (typ. Q = 75nC)  
g
Low effective output capacitance (typ. C .eff = 165pF)  
This advanced technology has been tailored to minimize con-  
duction loss, provide superior switching performance, and with-  
stand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy.  
Consequently, SuperFET is very suitable for various AC/DC  
power conversion in switching mode operation for system min-  
iaturization and higher efficiency.  
oss  
100% avalanche tested  
RoHS Compliant  
D
{
z
ꢀ ꢁ  
z
z
G
{
TO-220  
G D  
TO-220F  
{
S
G
D S  
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
DSS  
Parameter  
FCP20N60 FCPF20N60  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Drain Current  
600  
V
I
- Continuous (T = 25°C)  
- Continuous (T = 100°C)  
20  
20*  
12.5*  
A
A
D
C
C
12.5  
(Note 1)  
I
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
60  
60*  
V
E
Gate-Source voltage  
30  
690  
20  
V
mJ  
A
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
I
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
20.8  
4.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
P
Power Dissipation  
(T = 25°C)  
208  
1.67  
39  
0.3  
W
W/°C  
D
C
- Derate above 25°C  
T
T
T
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
300  
°C  
J, STG  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
L
°C  
*Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
θJC  
Parameter  
FCP20N60 FCPF20N60  
Unit  
°C/W  
°C/W  
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
0.6  
3.2  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
62.5  
62.5  
θJA  
©2008 Fairchild Semiconductor Corporation  
FCP20N60 / FCPF20N60 Rev. A2  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567...10

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FCPF20N60T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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