5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 暂无类别数据> FCP11N60
FCP11N60 PDF预览

FCP11N60

更新时间： 2024-11-22 22:31:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
10页 811K
描述
SuperFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

FCP11N60 数据手册

 浏览型号FCP11N60的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FCP11N60的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FCP11N60的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FCP11N60的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FCP11N60的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FCP11N60的Datasheet PDF文件第7页 
TM  
SuperFET  
FCP11N60/FCPF11N60  
General Description  
Features  
TM  
SuperFET is a new generation of high voltage MOSFETs  
•
•
•
•
•
650V @T = 150°C  
Typ. Rds(on)=0.32Ω  
Ultra low gate charge (typ. Qg=40nC)  
Low effective output capacitance (typ. Coss.eff=95pF)  
100% avalanche tested  
j
from Fairchild with outstanding low on-resistance and low  
gate charge performance, a result of proprietary technology  
utilizing advanced charge balance mechanisms.  
This advanced technology has been tailored to minimize  
conduction loss, provide superior switching performance,  
and withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche  
energy. Consequently, SuperFET is very suitable for  
various AC/DC power conversion in switching mode  
operation for system miniaturization and higher efficiency.  
D
!
●
◀
▲
●
●
G!  
TO-220  
FCP Series  
TO-220F  
FCPF Series  
G D  
S
G
D S  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FCP11N60  
FCPF11N60  
Units  
A
I
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
11  
7
11*  
7*  
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
33  
33*  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
340  
11  
mJ  
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
12.5  
4.5  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
125  
1.0  
36  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.29  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
* Drain current limited by maximum junction termperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FCP11N60  
1.0  
FCPF11N60  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
3.5  
--  
θJC  
0.5  
θCS  
θJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
62.5  
62.5  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, March 2004  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

FCP11N60 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP13NM60N STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 600 V, 0.28 ohm typ., 11 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP, I2PAK, TO-220, IP
STP20NM60 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 600V - 0.25ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET
SPP11N60C3 INFINEON

功能相似

 Cool MOS Power Transistor

与FCP11N60相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FCP11N60F FAIRCHILD

获取价格

 		600V N-Channel MOSFET
FCP11N60F ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET®，FRFET®， 600 V，11 A，3
FCP11N60N FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel MOSFET 600V, 10.8A, 0.299Ω
FCP11N60N ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，SUPREMOS®，FAST，600 V，10.8 A，29
FCP11N60N-F102 ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，SUPREMOS®，FAST，600 V，10.8 A，29
FCP1206C123G CDE

获取价格

 		CAP FILM 0.012UF 2% 16VDC 1206
FCP1206C123G-H1 CDE

获取价格

 		CAP FILM 0.012UF 2% 16VDC 1206
FCP1206C123J CDE

获取价格

 		CAP FILM 0.012UF 5% 16VDC 1206
FCP1206C123J-H1 CDE

获取价格

 		Surface Mount Film Capacitors
FCP1206C153G CDE

获取价格

 		CAP FILM 0.015UF 2% 16VDC 1206

与FCP11N60相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证