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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.69 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 201.7 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10.8 A | 最大漏极电流 (ID)： | 10.8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.299 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 94 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 32.4 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FCP11N60N-F102 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，SUPREMOS®，FAST，600 V，10.8 A，29 |
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| FCP1206C123G | CDE |
获取价格 |
CAP FILM 0.012UF 2% 16VDC 1206 |
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| FCP1206C123G-H1 | CDE |
获取价格 |
CAP FILM 0.012UF 2% 16VDC 1206 |
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| FCP1206C123J | CDE |
获取价格 |
CAP FILM 0.012UF 5% 16VDC 1206 |
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| FCP1206C123J-H1 | CDE |
获取价格 |
Surface Mount Film Capacitors |
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| FCP1206C153G | CDE |
获取价格 |
CAP FILM 0.015UF 2% 16VDC 1206 |
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| FCP1206C153G-H1 | CDE |
获取价格 |
CAP FILM 0.015UF 2% 16VDC 1206 |
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| FCP1206C153J | CDE |
获取价格 |
CAP FILM 0.015UF 5% 16VDC 1206 |
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| FCP1206C153J-H1 | CDE |
获取价格 |
Surface Mount Film Capacitors |
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| FCP1206C183G | CDE |
获取价格 |
CAP FILM 0.018UF 2% 16VDC 1206 |
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