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FCP11N60F

更新时间： 2024-09-14 21:55:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 837K
描述
600V N-Channel MOSFET

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FCP11N60F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：3.53
雪崩能效等级（Eas）：340 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A
最大漏极电流 (ID)：11 A最大漏源导通电阻：0.38 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：33 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FCP11N60F 数据手册

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TM  
SuperFET  
FCP11N60F/FCPF11N60F  
600V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
650V @T = 150°C  
SuperFETTM is, Farichild’s proprietary, new generation of high  
voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge  
balance mechanism for outstanding low on-resistance and  
lower gate charge performance.  
J
Typ. R  
= 0.32Ω  
DS(on)  
Fast Recovery Type ( t = 120ns)  
rr  
Ultra Low Gate Charge (typ. Q = 40nC)  
This advanced technology has been tailored to minimize  
conduction loss, provide superior switching performance, and  
withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy.  
Consequently, SuperFET is very suitable for various AC/DC  
power conversion in switching mode operation for system  
miniaturization and higher efficiency.  
g
Low Effective Output Capacitance (typ. C eff.=95pF)  
oss  
100% avalanche tested  
D
!
"
! "  
"
G
!
"
TO-220  
TO-220F  
G D  
!
S
S
G
D S  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
FCP11N60F FCPF11N60F  
Units  
A
I
I
Drain Current  
Drain Current  
- Continuous (T = 25°C)  
11  
7
11 *  
7 *  
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
A
C
(Note 1)  
- Pulsed  
33  
33 *  
A
DM  
V
E
Gate-Source Voltage  
± 30  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
340  
11  
mJ  
A
I
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
12.5  
4.5  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
125  
1.0  
36 *  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.29 *  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
300  
J
STG  
T
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
* Drain current limited by maximum junction termperature.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FCP11N60F FCPF11N60F  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
1.0  
0.5  
3.5  
--  
θJC  
θCS  
θJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
62.5  
62.5  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
FCP11N60F/FCPF11N60F Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567...10

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FCP11N60F 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP13NM60N STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 600 V, 0.28 ohm typ., 11 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP, I2PAK, TO-220, IP
STP20NM60FD STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 600V - 0.26W - 20A TO-220/TO-220FP/TO-247 FDmesh POWER MOSFET (with FAST DIODE)
STP20NM60 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 600V - 0.25ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET

与FCP11N60F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FCP11N60N FAIRCHILD

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 		N-Channel MOSFET 600V, 10.8A, 0.299Ω
FCP11N60N ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，SUPREMOS®，FAST，600 V，10.8 A，29
FCP11N60N-F102 ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，SUPREMOS®，FAST，600 V，10.8 A，29
FCP1206C123G CDE

获取价格

 		CAP FILM 0.012UF 2% 16VDC 1206
FCP1206C123G-H1 CDE

获取价格

 		CAP FILM 0.012UF 2% 16VDC 1206
FCP1206C123J CDE

获取价格

 		CAP FILM 0.012UF 5% 16VDC 1206
FCP1206C123J-H1 CDE

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 		Surface Mount Film Capacitors
FCP1206C153G CDE

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 		CAP FILM 0.015UF 2% 16VDC 1206
FCP1206C153G-H1 CDE

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 		CAP FILM 0.015UF 2% 16VDC 1206
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 		CAP FILM 0.015UF 5% 16VDC 1206

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