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FC5516010R

更新时间： 2024-10-30 19:55:51

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	275K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SMINI5-F3-B, SC-113CB, 5 PIN

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FC5516010R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SC-113CB, 5 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.72	配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.1 A
最大漏源导通电阻：	15 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F5	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FC5516010R 数据手册

FC5516010R

Dual N-channel MOSFET

Unit: mm

For switching

 Features

 Low drive voltage: 2.5 V drive

 Halogen-free / RoHS compliant

(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant)

 Marking Symbol: V5

 Basic Part Number

Dual FK350601 (Source Common type)

1. Gate(FET1)

2. Source(FET1,2)

3. Gate(FET2)

4. Drain(FET2)

5. Drain(FET1)

 Packaging

FC5516010R Embossed type (Thermo-compression sealing):

3 000 pcs / reel (standard)

Panasonic

JEITA

Code

SMini5-F3-B

SC-113CB

SOT-353

 Absolute Maximum RatingsꢀTa = 25 °C

Internal Connection

Parameter

Drain-source Voltage

Gate-source Voltage

Drain current

Symbol

VDS

VGS

IDp

Rating

Unit

°C

FET1

FET2

100

200

150

Drain current (Pulsed)

Total power dissipation

Overall Channel temperature

Storage temperature

FET1

FET2

Tch

Tstg

150

-55 to +150

°C

Pin name

1. Gate(FET1)

2. Source(FET1,2)

3. Gate(FET2)

4. Drain(FET2)

5. Drain(FET1)

Publication date: October 2012

Ver. BED

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