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F5D2

更新时间: 2024-11-14 22:31:31
品牌 Logo 应用领域
QT 半导体红外LED光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 240K
描述
AIGAAS INFRARED EMITTING DIODE

F5D2 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:HERMETICALLY SEALED, TO-46, 2 PINReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.14Is Samacsys:N
配置:SINGLE最大正向电流:0.1 A
最大正向电压:1.7 VJESD-609代码:e0
安装特点:THROUGH HOLE MOUNT功能数量:1
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-65 °C
光电设备类型:INFRARED LED标称输出功率:9 mW
峰值波长:880 nm最长响应时间:0.0000015 s
最大反向电压:3 V半导体材料:GaAs
形状:ROUND光谱带宽:8e-8 m
子类别:Infrared LEDs表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)视角:20 deg
Base Number Matches:1

F5D2 数据手册

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