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F5D2

更新时间: 2024-02-15 14:32:41
品牌 Logo 应用领域
QT 半导体红外LED光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 240K
描述
AIGAAS INFRARED EMITTING DIODE

F5D2 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:TransferredReach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.14最大正向电流:0.1 A
最大正向电压:1.7 VJESD-609代码:e0
安装特点:THROUGH HOLE MOUNT最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-60 °C峰值波长:880 nm
最长响应时间:0.0000015 s最大反向电压:3 V
半导体材料:GaAs光谱带宽:8e-8 m
子类别:Infrared LEDs表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)视角:20 deg
Base Number Matches:1

F5D2 数据手册

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