F5D3

更新时间： 2024-01-06 05:42:10

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		半导体红外LED 光电二极管
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3页	108K
描述
AlGaAs INFRARED EMITTING DIODE

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F5D3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	HERMETIC SEALED, TO-46, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.B	HTS代码：	8541.40.20.00
风险等级：	5.63	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最大正向电流：	0.1 A
最大正向电压：	1.7 V	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
功能数量：	1	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-65 °C	光电设备类型：	INFRARED LED
标称输出功率：	10.5 mW	峰值波长：	880 nm
最长响应时间：	0.0000015 s	最大反向电压：	3 V
半导体材料：	GaAs	形状：	ROUND
光谱带宽：	8e-8 m	子类别：	Infrared LEDs
表面贴装：	NO	视角：	20 deg
Base Number Matches：	1

F5D3 数据手册

F5D1/2/3

AlGaAs INFRARED EMITTING DIODE

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS

0.209 (5.31)

• The F5D series is a 880 nm LED in a

narrow angle, TO-46 package.

0.184 (4.67)

0.030 (0.76)

0.255 (6.48)

NOM

FEATURES

• Good optical to mechanical alignment

1.00 (25.4)

MIN

• Mechanically and wavelength matched

ANODE

(CASE)

SCHEMATIC

to the TO-18 series phototransistor

• Hermetically sealed package

ANODE

(Connected

To Case)

0.100 (2.54)

0.050 (1.27)

• High irradiance level

CATHODE

0.040 (1.02)

1. Derate power dissipation linearly 1.70 mW/°C above 25°C ambient.

2. Derate power dissipation linearly 13.0 mW/°C above 25°C case.

3. RMA flux is recommended.

Ø0.020 (0.51) 2X

45°

4. Methanol or isopropyl alcohols are recommended as cleaning

agents.

NOTES:

5. Soldering iron tip 1/16” (1.6mm) minimum from housing.

6. As long as leads are not under any stress or spring tension

7. Total power output, P_O, is the total power radiated by the device into

1. Dimensions for all drawings are in inches (mm).

2. Tolerance of ± .010 (.25) on all non-nominal dimensions

unless otherwise specified.

a solid angle of 2 ! steradians.

(T = 25°C unless otherwise specified)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Parameter

Operating Temperature

Storage Temperature

Soldering Temperature (Iron)^{(3,4,5 and 6)}

Soldering Temperature (Flow)^{(3,4 and 6)}

Continuous Forward Current

Forward Current (pw, 10µs; 100Hz)

Forward Current (pw, 1µs; 200Hz)

Reverse Voltage

Symbol

T_OPR

T_STG

T_SOL-I

T_SOL-F

I_F

Rating

-65 to +125

-65 to +150

240 for 5 sec

Unit

°C

260 for 10 sec

100

I_F

V_R

Power Dissipation (T_A= 25°C)⁽¹⁾

Power Dissipation (T_C= 25°C)⁽²⁾

P_D

170

1.3

(TA =25°C) (All measurements made under pulse conditions)

ELECTRICAL / OPTICAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

TEST CONDITIONS

I_F= 100 mA

V_R= 3 V

SYMBOL

MIN

—

12.0

9.0

10.5

—

TYP

880

±8

—

1.5

MAX

—

1.7

—

UNITS

Deg.

Peak Emission Wavelength

Emission Angle at 1/2 Power

Forward Voltage

Reverse Leakage Current

Total Power F5D1⁽⁷⁾

Total Power F5D2⁽⁷⁾

Total Power F5D3⁽⁷⁾

V_F

I_R

P_O

t_r

µA

I_F= 100 mA

µs

Rise Time 0-90% of output

Fall Time 100-10% of output

t_f

—

µs

2001 Fairchild Semiconductor Corporation

DS300286 4/24/01

1 OF 3

www.fairchildsemi.com

12 3

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