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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | HERMETICALLY SEALED, TO-46, 2 PIN | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.14 | 配置： | SINGLE |
| 最大正向电流： | 0.1 A | 最大正向电压： | 1.7 V |
| JESD-609代码： | e0 | 安装特点： | THROUGH HOLE MOUNT |
| 功能数量： | 1 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 光电设备类型： | INFRARED LED |
| 标称输出功率： | 9 mW | 峰值波长： | 880 nm |
| 最长响应时间： | 0.0000015 s | 最大反向电压： | 3 V |
| 半导体材料： | GaAs | 形状： | ROUND |
| 尺寸： | 4.67 mm | 光谱带宽： | 8e-8 m |
| 子类别： | Infrared LEDs | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 视角： | 80 deg |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| F5E3 | FAIRCHILD |
获取价格 |
AlGaAs INFRARED EMITTING DIODE |
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| F5E3 | QT |
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AIGAAS INFRARED EMITTING DIODE |
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| F5E3 | EDAL |
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Silicon Power Rectifiers |
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| F5E3 | RENESAS |
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LAMP,IRED,880NM PEAK WAVELENGTH,10MW OUTPUT POWER,CAN-4.6 |
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| F5E6N | SHINDENGEN |
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60V SERIES POWER MOSFET |
|
| F5EB | ETC |
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F5EB |
|
| F5F1 | QT |
获取价格 |
GAAS INFRARED EMITTING DIODE |
|
| F5F3 | EDAL |
获取价格 |
Silicon Power Rectifiers |
|
| F5F90HVX2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB |
|
| F5G1 | QT |
获取价格 |
AIGAAS INFRARED EMITTING DIODE |
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