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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A001.A.2.A |
| HTS代码： | 8541.40.20.00 | 风险等级： | 5.14 |
| 配置： | SINGLE | 最大正向电流： | 0.1 A |
| 最大正向电压： | 1.7 V | JESD-609代码： | e0 |
| 安装特点： | THROUGH HOLE MOUNT | 功能数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 光电设备类型： | INFRARED LED | 标称输出功率： | 9 mW |
| 峰值波长： | 880 nm | 最长响应时间： | 0.0000015 s |
| 最大反向电压： | 3 V | 半导体材料： | GaAs |
| 形状： | CYLINDRICAL | 尺寸： | 4.67 mm |
| 光谱带宽： | 8e-8 m | 子类别： | Infrared LEDs |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 视角： | 80 deg | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| F5E3 | FAIRCHILD | AlGaAs INFRARED EMITTING DIODE |
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| F5E3 | QT | AIGAAS INFRARED EMITTING DIODE |
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| F5E3 | EDAL | Silicon Power Rectifiers |
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| F5E3 | RENESAS | LAMP,IRED,880NM PEAK WAVELENGTH,10MW OUTPUT POWER,CAN-4.6 |
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| F5E6N | SHINDENGEN | 60V SERIES POWER MOSFET |
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| F5EB | ETC | F5EB |
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