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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DFP, FL16,.3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.92 | JESD-30 代码： | R-XDFP-F16 |
| JESD-609代码： | e0 | 逻辑集成电路类型： | NOR GATE |
| 湿度敏感等级： | 2A | 端子数量： | 16 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DFP |
| 封装等效代码： | FL16,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLATPACK | 峰值回流温度（摄氏度）： | 250 |
| 电源： | -5.2 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 施密特触发器： | NO | 子类别： | Gates |
| 表面贴装： | YES | 技术： | ECL10K |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | FLAT | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| F1022 | POLYFET |
获取价格 |
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
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| F10231DC | FAIRCHILD |
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D Flip-Flop, 10K Series, 2-Func, Positive Edge Triggered, 1-Bit, Complementary Output, ECL |
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| F102450LC3B | IVO |
获取价格 |
Totalizers electromechanic |
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| F102450LC3D | IVO |
获取价格 |
Totalizers electromechanic |
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| F102450LC5B | IVO |
获取价格 |
Totalizers electromechanic |
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| F102450LC5D | IVO |
获取价格 |
Totalizers electromechanic |
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| F102450LC8B | IVO |
获取价格 |
Totalizers electromechanic |
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| F102450LC8D | IVO |
获取价格 |
Totalizers electromechanic |
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| F102450LC9B | IVO |
获取价格 |
Totalizers electromechanic |
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| F102450LC9D | IVO |
获取价格 |
Totalizers electromechanic |
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